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?GTVA12600統計放小器CREE

正式發布日子:2023-06-08 16:49:38     訪問:1189

CREE雷達放大器GTVA126001EC和GTVA126001FC是600瓦GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT),適用于1200至1400MHz頻率段。GTVA12600具備輸入適配性能;高效化;和熱強化包。

的特點

導入匹配

比較常見的單脈沖發生器CW性能指標(AB類);1200MHz;50伏;300μs輸入脈沖速率;10%pwm占空比;傳輸瓦數(P3dB)=600W;引流管率=65%;收獲值=18dB

也可以在單輸入脈沖學習環境下,以600W輸入額定功率乘載10:1負債失諧(很多相位差):300μs單脈沖聲音頻率;10%pwm占空比;VDD=50V;IDQ=100mA

名模模式化1C類(可根據AnSI/ESDA/JEDECJS-001)

無鉛并符合要求RoHS規范明文規定

預警雷達變成器

CREE(科銳)組建于1987年,CREE科銳具備著30多年后的帶寬GAP原料料和全新物料,CREE科銳是個詳細完整的設置加盟商務合作,契合微波射頻的標準,CREE科銳為行行業內枝術先進的絲機機 帶來更強的瓦數和更低的性能自然損耗。CREE科銳由最始于的GaN基本的材質材料LED類的產品科技領跑全環境,到微波加熱頻射與公分波集成ic類的產品,CREE科銳于2017年轉移出微波加熱微波射頻茶葉品牌Wolfspeed,以帶寬、大最高功率放小器品牌為代表性。

蘇州市立維創展科技創新是CREE的經銷處商,具備CREE微波加熱功率器件特色供貨周期流通渠道,并長時庫存管理期貨,以便我們市面供需。

信息詳細了解CREErf射頻紅外光請點://takasago.net.cn/brand/35.html

GTVA12600.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

GTVA126001FC-V1

GaN on SiC

1.2 GHz

1.4 GHz

600 W

20 dB

63%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Earless

GTVA126001EC-V1

GaN on SiC

1.2 GHz

1.4 GHz

600 W

20 dB

63%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Bolt Down


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