發布了時期:2023-06-13 16:42:27 搜索:1292
CREE的GTVA107001EC是款700瓦GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT),適用于960至1215MHz頻率段。GTVA10700具備輸入適配功能性;高效化;和熱強化封裝;帶螺母穩固法蘭盤。
特色
讀取適用
普遍性的輸入脈沖CW能指標體系(AB類);1030MHz;50伏;128ms電磁厚度;10%pwm占空比;所在電機功率P3dB=890W;引流法熱效率=75%;增加收益值=18dB
應該擁有10:1負債失諧(電磁情況下下700W工作功率讀取下的整個相位差:50V;100mAIDQ;128μs激光脈沖大小;10%pwm占空比
平面模特類別類IC(可根據ANSI/ESDA/JEDECJS-001)
無鉛并非常符合RoHS規范歸定
使用
統計放小器
CREE(科銳)申請加入于1987年,CREE科銳擁有30幾年的聯通寬帶GAP鋼筋取樣料和創新發展車輛,CREE科銳是個全部的方案相互合作朋友們,貼合頻射的標準,CREE科銳為行在業內技術工藝領跑的機器人生產設備打造更強的耗油率和更低的功能性損失。CREE科銳由最始于的GaN板材LED成品工藝精英型全宇宙,到紅外光rf射頻與亳米波基帶芯片成品,CREE科銳于2017年轉移出微波加熱微波射頻該品牌Wolfspeed,以網絡帶寬、大耗油率調大器好產品為特色文化。
長沙市立維創展創新科技是CREE的經銷處商,擁有著CREE紅外光集成電路芯片好處要貨公司,并長久交易量現貨平臺,以作在我國市場需求量。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA107001FC-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.215 GHz | 700 W | 20 dB | 70% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Earless |
GTVA107001EC-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.215 GHz | 700 W | 20 dB | 70% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |