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?GTVA101K4 L股票波段公率變成器CREE

推出時光:2023-09-13 16:58:47     查看:1246

CREE的GTVA101K4是款精心設計的高效率GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能。從而使得GTVA101K4特別適合0.96–1.4GHz頻率段的應用。GTVA101K4晶體管適合于從UHF到1.4GHz的特殊頻率段技術應用。

的特征

鍵入匹配

多見的脈沖造成的反復波安全性能;960–1215MHz;50V;單面;128μs脈寬長度;10%pwm占空比;P3dB=1400W時的讀取電率;崗位生產率=68%;收獲值=17dB

無鉛并滿足需要RoHS標準單位

適用域

統計變大器

CREE(科銳)注冊成立于1987年,CREE科銳應有30十幾年的移動寬帶GAP原裝修材料料和改革創新好產品,CREE科銳是一種個全面的定制達成合作夥伴,具備rf射頻的業務需求,CREE科銳為行同行業水平領先地位的機器的設備的設備提供數據更強的熱效率和更低的功能鍵耗用。CREE科銳由最始于的GaN板材LED新產品設備技術前沿全宇宙,到微波加熱rf射頻與直徑波集成電路芯片新產品設備,CREE科銳于2017年拆分出徽波頻射該品牌Wolfspeed,以移動寬帶、大工作效率變大器產品設備為獨特。

河南市立維創展科學是CREE的廠家商,存在CREE微波通信元器優越供貨期推廣方式,并長久的庫存盤點現貨平臺,以作中國國市揚訴求。

詳細信息詳細了解CREE微波通信射頻微波通信請超鏈接://takasago.net.cn/brand/35.html

CREE (21).png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

GTVA101K42EV-V1

GaN on SiC

0.96 GHz

1.4 GHz

1400 W

17 dB

68%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Bolt Down

LTN/GTVA101K42EV-V1

GaN on SiC

0.96 GHz

1.4 GHz

1400 W

17 dB

68%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Bolt Down


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