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公(gong)布周期:2023-09-13 16:58:47 網頁(ye)瀏覽:1246
CREE的GTVA101K4是款精心設計的高效率GaN on SiC高(gao)電子遷移(yi)率晶體(ti)管(HEMT);高(gao)增益和寬帶寬性(xing)能(neng)。從而使得GTVA101K4特(te)別適合0.96–1.4GHz頻(pin)率段(duan)的應用(yong)。GTVA101K4晶體(ti)管適合于從UHF到1.4GHz的特(te)殊(shu)頻(pin)率段(duan)技術應用(yong)。
優點
手機輸入兼容性測試
比較常(chang)見(jian)的(de)激光脈沖連續(xu)不斷波能力;960–1215MHz;50V;三(san)層;128μs脈沖信號(hao)長寬(kuan)比;10%pwm占空比;P3dB=1400W時(shi)的(de)輸出電壓的(de)工作(zuo)電壓;的(de)工作(zuo)高效率=68%;增(zeng)益控(kong)制值=17dB
無鉛并夠滿足(zu)RoHS規格
應運方向
預警雷達增加器
CREE(科(ke)銳(rui))籌建(jian)于(yu)1987年(nian),CREE科(ke)銳(rui)應(ying)有30這(zhe)些年(nian)的(de)(de)聯通寬(kuan)帶(dai)GAP原料(liao)料(liao)和信(xin)(xin)息(xi)化(hua)廠品(pin),CREE科(ke)銳(rui)是個完整性的(de)(de)結構設計相互合作(zuo)粉絲,不符合rf射(she)頻(pin)的(de)(de)標準,CREE科(ke)銳(rui)為行行業內(nei)新技(ji)術當先的(de)(de)機裝備展(zhan)示 更(geng)強(qiang)的(de)(de)額(e)定功(gong)率(lv)和更(geng)低的(de)(de)功(gong)能鍵材(cai)料(liao)耗費。CREE科(ke)銳(rui)由最(zui)開(kai)啟的(de)(de)GaN基本材(cai)料(liao)LED物(wu)品(pin)系統進(jin)取全天下,到微波(bo)通信(xin)(xin)微波(bo)射(she)頻(pin)與豪米(mi)波(bo)集成ic物(wu)品(pin),CREE科(ke)銳(rui)于(yu)2017年(nian)隔離出微波(bo)微波(bo)射(she)頻(pin)微波(bo)射(she)頻(pin)名牌Wolfspeed,以移動寬(kuan)帶(dai)、大電率(lv)增加器新產品(pin)為上(shang)海特色。
廣州市立維創展科學技術是(shi)CREE的(de)銷售商,擁用CREE微波射頻功率器件優越購貨途徑(jing),并短期庫存(cun)管理期貨,以(yi)防全國銷售市場(chang)市場(chang)需(xu)求(qiu)。
內容清楚CREErf射頻徽波請單擊://m.www.takasago.net.cn/brand/35.html

Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |
LTN/GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |