亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区

14-18 GHz（Ku波段）GaN功率放大器MMIC

CMD216就是一(yi)款5.6 W GaN MMIC耗(hao)油(you)率(lv)放縮(suo)器(qi)集(ji)成(cheng)電(dian)路芯片，更加最適(shi)合Ku頻段(duan)通(tong)訊模式，之中高耗(hao)油(you)率(lv)和(he)(he)高非線性度(du)是至關比較(jiao)重(zhong)要(yao)的開發規(gui)定。該(gai)放小(xiao)器(qi)展示(shi) 不小(xiao)于16 dB的增益值，應當的所在(zai)1 dB壓(ya)解(jie)點為(wei)(wei)(wei)+37 dBm，飽合所在(zai)馬(ma)力為(wei)(wei)(wei)+38 dBm，馬(ma)力附帶生產率(lv)為(wei)(wei)(wei)32％。CMD216圖(tu)像(xiang)運放電(dian)路主要(yao)包(bao)括50歐姆(mu)自動(dong)自動(dong)匹配設計構思(si)，不用再冗余DC接口和(he)(he)RF端口號自動(dong)自動(dong)匹配。CMD216 MMIC還提供了仍然鈍化(hua)，以增長可以信賴性和(he)(he)隔(ge)潮性。

品牌	型號	貨期
Custom mmic	CMD216	3-4周

如若您需要購買CMD216，請點擊右側在線客服聯系我們！！！

基本特征

• 高效率非常明顯
• 高線性網絡度
• 大電率
• 正增加收益斜率
• 電子器件面積小

參數設置	非常(chang)典型
幾率（GHz）	14-18
收獲（dB）	16
噪音污染因子（dB）
相位噪聲源（dBc / Hz）
工作輸出P1dB（dBm）	37
模擬輸出Psat（dBm）	38
OIP3（dBm）	43
偏置電阻值Vdd / Vgg（V）	+28 / -3.4
偏置瞬時電流（mA）	550

CUSTOM MMIC功率放大器用于射頻功率放大器設計的C，X，K，Ku和Ka波段GaAs和GaN MMIC

一般 ，頂尖的RF /紅外光加熱控制系統制作和子結構件的長寬比受過要求，然而供給比現存水平最高的曲線度范圍之內。制作MMIC紛紛致力于打造于提拱充分考慮RF /紅外光加熱控制系統極低工作成工率和高曲線供給的GaAs和GaN工作成工率擴大器（PA），與此同時提拱具備有網絡帶寬寬的大型裸片和界面貼裝（SMT）封裝形式。仍然指導最好的電力電氣特性僅占一半以上，Custom MMIC提拱一些工作成工率擴大器，應用50歐姆適配制作和單正偏置電原的電壓，可調低非常復雜的偏置隊列，最后調低料工費并合理利用三維空間。許多職能還有：高打出工作成工率，高曲線度和領航的成工率。高工作成工率密度計算公式GaN MMIC制作也是常用的。

頻率 （GHz）:DC - 32

增益 （dB）:11-30

噪聲 系數 （dB）:3-6.5