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UMS的CHA3512-99F由單刀雙通（SPDT）控制開關、1步數子衰減器和單級行波增加器組成而成。CHA3512-99F主要為國防教育信息技術軟件應用要求裝修設計。處理器背部有微波加熱rf射頻和交流電與地面。這有幫助于簡化制做階段。

CHA3512-99F使用的PHEMT技巧技巧，柵極橫向為0.25um，通孔擋住基鋼板，大氣橋和電子器件束柵神行者刻。

CHA3512-99F具有IC芯片行式。

注意特征英文

耐熱性參數值：6-18GHZ

23dbm飽和工作輸出熱效率

16db增加收益值

選廣泛用于20db動態圖面積的1位衰減器

電流電功效耗率：210MA@4.5V

二極管封裝面積：4.27x2.46x0.1mm

UMS微波射頻最為瑞典直徑波電子器件的意味著產品品牌，在瑞典和國外如何設置有房產園區。UMS在歐洲依據內頂級app市場上占為己有沒法代替品的話語權。UMS給出應用場景ASIC或根目錄類產品的綜上價格行情，最主要立于公司的內部結構的III-V技藝，并供應切實的紙質合同服務項目，使企業客戶需要會新創建她的產品徹底解決策劃方案。從電流電到100GHz的UMS文件目錄物品均源于GaAs、Gan、SiGe技藝，還有高達hg200W的輸出拖動器、混合著手機信號能力、超底噪聲源拖動器和全部的發收器模式。UMS物料以沖壓模具方法供應，但通常情況下以多IC芯片功能的方法封口。

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