亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区

CREE的CGHV96130F是氧化硅(SiC)材(cai)料的特性(xing)上的氮化鎵(GaN)高(gao)轉至率(lv)晶(jing)(jing)胞(bao)管(HEMT)與(yu)另外的的技術相對(dui)于，CGHV96130F里面的適應性(xing)(IM)FET兼備卓越(yue)的瓦數(shu)額外添加(jia)利用率(lv)。與(yu)砷化鎵不同之(zhi)處，GaN更具(ju)更好(hao)的的的性(xing)能；涉及更好(hao)的電壓(ya)擊穿場(chang)強；更好(hao)的飽合網絡漂移速度(du)快(kuai)和更好(hao)的熱導率(lv)。與(yu)GaAs尖(jian)晶(jing)(jing)石管相對(dui)來(lai)說，GaN HEMT還(huan)兼有(you)最(zui)高的額定功率密度單位和更寬的速率。CGHV96130F利用金屬件/陶瓷制(zhi)品蝶閥法蘭封(feng)口都可以實行(xing)合(he)適(shi)的電氣成套和熱(re)穩固(gu)性。

共同點

166WPOUT（典(dian)型的(de)值）

7.5dB馬力增(zeng)益控(kong)制值(zhi)

42%先(xian)進(jin)典型PAE

50Ω內部人(ren)員(yuan)配(pei)適

<0.3dB耗油率下跌

的產品標準

描訴：130瓦(wa)；8.4-9.6GHz；50Ω；重點(dian)適用(yong)于X波長雷達探測操作的(de)鍵入/傳(chuan)輸兼容性測試(shi)GaNHEMT

較小頻帶寬度(MHz)：8400

最(zui)大的頻(pin)率(MHz)：9600

最低值所在熱效(xiao)率(W)：130

使(shi)用(yong)率（％）：42

額定功率電阻值(V)：40