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CREE的CGHV96130F是氫氟酸處理硅(SiC)基本材料上的氮化鎵(GaN)高移遷率結晶體管(HEMT)與某些技術工藝相對，CGHV96130F企業內部應用(IM)FET極具優秀的工作錯誤率扣減錯誤率。與砷化鎵優于，GaN擁有最好的性；還包括越來越高的熱擊穿場強；越來越高的過飽和網上漂移的速度和越來越高的熱導率。與GaAs多晶體管比起來，GaN HEMT還存在越來越高的瓦數密度計算公式和更寬的傳輸速率。CGHV96130F使用的金屬/瓷磚活套法蘭打包封裝可以進行最優的電力和熱穩明確高性。

優點

166WPOUT（先進典型值）

7.5dB功效收獲值

42%具代表性PAE

50Ω外部更換

<0.3dB公率越來越低

設備外形尺寸

形容：130瓦；8.4-9.6GHz；50Ω；重點用作X中波段預警雷達運用的鍵入/內容輸出適用GaNHEMT

最大頻繁 (MHz)：8400

較大平率(MHz)：9600

比較高值工作輸出工作功率(W)：130

速度（％）：42

額定值電阻值(V)：40