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CREE的(de)CGH40045是款(kuan)前所(suo)未有的(de)晶(jing)體(ti)管；氮化鎵(GaN)高電子遷移率(lv)晶(jing)體(ti)管(HEMT)。CGH40045由28伏電源軌(gui)供(gong)電設備；提(ti)供(gong)通用(yong)型目(mu)的(de)性；適(shi)合各種射頻和微波應用(yong)的(de)寬帶網(wang)絡(luo)解決方案。GaN HEMT工作(zuo)效率(lv)高；高增(zeng)益和寬(kuan)帶網絡(luo)寬(kuan)性能使CGH40045成為線形和壓(ya)縮功(gong)率(lv)放大(da)電路的最佳選擇。CGH40045晶(jing)體(ti)管(guan)選用法(fa)蘭盤和藥丸(wan)式(shi)封裝(zhuang)。

表現形式

工作中(zhong)幀率高達獨角獸4GHz

2.0GHz時16dB小衛星信號收獲值

4.0GHz時12dB小的(de)信號收獲值(zhi)

55W主要PSAT

PSAT高質量比率為55%

28V施用(yong)

應該用領域

測試軟件機器設備

蜂(feng)窩(wo)狀核心的設施設計

帶寬調小器

2路(lu)轉用播音(yin)

A、AB類

注(zhu)意用到OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA波形(xing)參數的平面曲線放(fang)縮器

車輛指標

比較小次數(MHz)：0

更大幀(zhen)率(MHz)：4000

最大值輸出電率(W)：45

收獲值(zhi)(dB)：12.0

高效、性(xing)價比最高率（％）：55

額定容量(liang)電流值(V)：28

形狀：芯(xin)片封裝分立(li)結晶體管

芯片(pian)封裝品類：法蘭部盤、藥(yao)丸式狀

技術工藝應用(yong)：GaN-on-SiC