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UMS的(de)CHA3666-QAG是款兩級偏(pian)置電壓寬帶(dai)單片低(di)噪聲放大器。選用標(biao)準(zhun)化PHEMT工藝技術(shu)：具備著0.25um柵極長(chang)度、橫穿基板的通孔、氣橋和網上束柵星空刻技術性。

CHA3666-QAG挑選符合ROHS標準單位化的SMD封口供給。

關鍵結構特征

寬帶(dai)網耐磨性6-17GHZ

1.8db相位的噪音

26dbm3階截(jie)距點

縮(suo)小1db時的16dbm耗油率

21db增益(yi)值(zhi)值(zhi)

低電流功能鍵耗率

16L-QFN3X3SMD芯(xin)片封裝(zhuang)

MSL1