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自偏置(zhi)低噪(zao)聲放大(da)器(qi)主要(yao)針對目(mu)前(qian)自偏置(zhi)放大(da)器(qi)的噪(zao)音和(he)增益頻帶(dai)寬度無法滿足各(ge)種的問題。主要(yao)包括兩級功(gong)率(lv)放大(da)電路(lu)，第一級功(gong)率(lv)放大(da)電路(lu)由功(gong)率(lv)電感L2組成、NMOS管(guan)M1、PMOS管(guan)M2、負反饋(kui)電阻值R1與負載電源電路(lu)Z1相接(jie)(jie)；第(di)一級(ji)(ji)功率(lv)(lv)放大(da)電(dian)(dian)(dian)路的(de)輸(shu)出端連接(jie)(jie)第(di)二級(ji)(ji)功率(lv)(lv)放大(da)電(dian)(dian)(dian)路，第(di)二級(ji)(ji)功率(lv)(lv)放大(da)電(dian)(dian)(dian)路由共源NMOS管(guan)M3和(he)(he)匹配電(dian)(dian)(dian)阻(zu)R2組成。該M1管(guan)、M2管(guan)和(he)(he)M3管(guan)用作(zuo)提供(gong)電(dian)(dian)(dian)壓增益，負(fu)反(fan)饋電(dian)(dian)(dian)阻(zu)值R1和(he)(he)功率(lv)(lv)電(dian)(dian)(dian)感L2用作(zuo)輸(shu)入(ru)特(te)性(xing)阻(zu)抗，負(fu)載電(dian)(dian)(dian)源電(dian)(dian)(dian)路Z1拓展增益頻帶(dai)寬(kuan)度，匹配電(dian)(dian)(dian)阻(zu)R2用作(zuo)輸(shu)出特(te)性(xing)阻(zu)抗。

CHA3666-99F是款兩級自(zi)偏置寬(kuan)帶單芯(xin)片低噪聲放大器。

CHA3666-99F采用標準PHEMT工藝技術：25um柵極長度、穿過襯底的(de)通孔(kong)、空氣橋和電子束柵極光刻技術。

基本顯著特點

寬帶性能：6-17GHZ

1.8db噪(zao)聲系(xi)數

26dbm三階截距點

1db壓縮時的17dbm功(gong)率

21db增益值

低(di)直流(liu)電壓電工作電壓

直流(liu)電(dian)偏置電(dian)壓：Vd=4.0伏@ld=80MA

封(feng)裝尺寸1.47x1.47x0.1mm