亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区

VTM48EF040T050B0R縱向工作電流增漲器就是種余弦大幅度轉化成器（SAC?)從26到55VDC主開關電源或2.2至4.6VDC輔助電向過載配電。VTM48EF040T050B0R雙相余弦波幅互轉器，帶1個/12來底部隔離和轉移電阻值。SAC作為的低聊天電位差超出了絕大絕對多數數上游調理器的傳輸速率。那么，它在減壓換為；基本，負載電阻處的電阻器應該設在余弦比率換為器的源處，以保證 電阻器器尺寸的縮小到。正因為VTM48EF040T050B0R的k標準值是1，/12，但是在源極地屬原邊的用中，原邊的電感值就可以減少144倍，以此節約控制pcb電路板戶型、原料和總裝置成本價。

VTM48EF040T050B0R采(cai)用了(le)VI電源芯片芯片封裝(zhuang)，兼容(rong)的(de)(de)(de)(de)標(biao)準取放和表貼拆卸(xie)工藝(yi)設備。仍然比較大的(de)(de)(de)(de)的(de)(de)(de)(de)熱標(biao)準接口面積(ji)和好(hao)品質的(de)(de)(de)(de)導電性，共模VIIC芯片封裝(zhuang)提供了(le)了(le)減弱(ruo)的(de)(de)(de)(de)散(san)熱器理。與常用的(de)(de)(de)(de)方法不(bu)同之處，VTM48EF040T050B0R的(de)(de)(de)(de)高(gao)裝(zhuang)換有質量提高(gao)自己了(le)整個的(de)(de)(de)(de)體統的(de)(de)(de)(de)有質量，較低了(le)進行資(zi)金。

VTM48EF040T050B0R是可(ke)以根據(ju)條(tiao)件溶(rong)解電組織架構，采用降底(di)變為和重新分配耗率或者推進電流變為的(de)高密(mi)度高點來給出效果和的(de)尺寸長處。

耐熱性和優缺點

?48VDC至(zhi)4VDC50A雙線電流值(zhi)培增器

?可以為連入上(shang)次(ci)側或首次(ci)側的過載配電

?能力高率（>94%）能拉低程(cheng)序系(xi)統衰減

?高(gao)體積密(mi)度（170A/in3）

?“全(quan)處理(li)芯片”VIChip?打包封裝(zhuang)(zhuang)構建與設計板(ban)的表面層貼裝(zhuang)(zhuang)、低電位差互(hu)連

?具有面對(dui)中所(suo)無效合同(tong)的(de)內置呵護器：

n過壓重設

n過電壓電流(liu)庇護(hu)

n短(duan)路故障護理

n溫度因素保養

?給出無法(fa)/停止使用遠程(cheng)控(kong)制、內層溫(wen)暖(nuan)監測

?ZVS/ZCS諧振余弦波(bo)幅(fu)轉換(huan)成器拓撲結構

?在基本特征應用(yong)中，過(guo)載(zai)時溫暖身高降到50oC

VTM48EF040T050B0R供電模組介紹做為前景緊密物品，是可以保證大電流值高耗油率但致使VTM48EF040T050B0R停售(shou)，餐(can)飲(yin)市場只會(hui)確定(ding)截取具體(ti)型號。

市廠推送的(de)臺達(da)齊名Cyntec的(de)MPN541382-PV，Mblock工(gong)作效率(lv)摸塊的(de)服務(wu)，可實現了極(ji)性(xing)2的(de)連入(ru)方案，可以提供高(gao)至(zhi)1000w的(de)負荷最大(da)功(gong)率(lv)，而封裝形式比熱(re)容僅有2.8*17.3*7.7mm。

Cnytec創辦于(yu)1991年，以科技多元化(hua)有利(li)于(yu)、生產方(fang)式(shi)銷售業務高(gao)(gao)控制(zhi)精密(mi)度(du)和(he)高(gao)(gao)溶解度(du)信(xin)息(xi)模(mo)塊電(dian)(dian)(dian)源、感(gan)測(ce)器(qi)器(qi)和(he)用范疇(chou)能力(li)結構設(she)計。產品的首(shou)要其中包括集成式(shi)電(dian)(dian)(dian)感(gan)、電(dian)(dian)(dian)機功率信(xin)息(xi)模(mo)塊電(dian)(dian)(dian)源和(he)高(gao)(gao)控制(zhi)精密(mi)度(du)電(dian)(dian)(dian)阻器(qi)。諸多使用轉移環保(bao)設(she)備、通訊(xun)移動信(xin)號(hao)塔、自(zi)動化(hua)環保(bao)設(she)備等。