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推出(chu)時段:2018-08-27 14:37:59 觀看:1819
CMD281C3有的(de)是款負管理(li),聯(lian)通寬(kuan)帶GaAs MMIC 2十位數字(zi)衰(shuai)減(jian)(jian)器,主(zhu)要采用無引(yin)腳3x3 mm表層(ceng)貼裝(zhuang)打(da)包(bao)封裝(zhuang)。衰(shuai)減(jian)(jian)器的(de)每臺位由(you)0 V或-5 V的(de)單獨某個(ge)電壓(ya)降有效控制。衰(shuai)減(jian)(jian)器位數值2 dB和4 dB,總衰(shuai)減(jian)(jian)為6 dB。CMD281C3在(zai)10 GHz時具1.5 dB的(de)低放耗用,衰(shuai)減(jian)(jian)gps精度大部(bu)分為0.1 dB步進電機偏差。CMD281C3通過50歐(ou)姆配備(bei)設計(ji)的(de)概念,不(bu)能自己RF表層(ceng)配備(bei)。
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Custom mmic
CMD281C3
3-4周
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顯著特點
包
CUSTOM MMIC利用GaAs技術工藝設置制作訂做和準則面上貼裝(SMT)封口和裸片融合式RF /微波射頻射頻衰減器,以需要滿足多種高能力設置制作的需求分析。憑借著線直流電壓可調衰減和加寬帶能力,這部分融合衰減器可實現目標到達40 GHz(Kk線)的復制到損耗量。這部分RF /微波射頻射頻MMIC利用50歐姆適應設置制作,需不需要端口設置適應,截然鈍化和防塵愛護,故而提高了了安全性。IC芯片寸尺小至2x2直徑。用做K和Kak線設置制作的線直流電壓可調衰減器MMIC。
主要參數
經(jing)典
頻次(GHz)
DC - 22
比特數
2
插。耗率(lv)(dB)
1.5
消化吸收范圍內(dB)
6
設置P0.1dB(dBm)
28
設置IP3(dBm)
42
步隨機誤差(dB)
0.1
調節電流電壓(V)
0 / -5