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CGHV50200F是種專程設計方案用在高效化氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）；高增益和寬帶寬性能；從而使得CGHV50200F成為了對流層光學散射通訊的最佳選擇；4.4-5.0GHzC頻率段衛星通訊應用與超低空。CGHV50200F選用陶瓷/金屬法蘭封裝形式。

本質特征

4.4–5.0GHz事業

180W常考PSAT

11.5dB典型電率收獲值

48%常用電壓有效率

50Ω內外匹配

APP的領域

定位網絡通信

撼動光線——BLOS

熱對流層光學薄膜散射無線通訊

物料金橋銅業跨接線的截面積大小

詳情：200瓦；4400-5000MHz；50Ω投入/輸出精度更換；氮化鎵高電商遷徙率晶胞管

最高工作頻率(MHz)：4400

極高頻次(MHz)：5000

最高的值模擬輸出效率(W)：200

增益控制值(dB)：11.5

做工作質量（％）：33

額定電流(V)：40

結構：封裝類型結構分立單晶體管

封裝種類:法蘭部盤

技木應用：GaN-on-SiC