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CGHV96050F1是款(kuan)碳(tan)化硅(gui)(SiC)基材上的(de)氮化鎵(GaN)高電子遷移(yi)率(lv)(lv)晶體(ti)(ti)管(guan)(HEMT)。與其它同類產品相(xiang)(xiang)比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的(de)功率(lv)(lv)附帶(dai)效率(lv)(lv)。與硅(gui)或砷化鎵相(xiang)(xiang)比較(jiao)，GaN具有更(geng)加優異的(de)性能；包(bao)含更(geng)高的(de)擊穿場強；更(geng)高的(de)飽和電子漂移(yi)效率(lv)(lv)和更(geng)高的(de)導熱系數。與GaAs晶體(ti)(ti)管(guan)相(xiang)(xiang)比較(jiao)，GaN HEMT還推出更(geng)高的功率密度(du)和更(geng)寬(kuan)的帶寬(kuan)。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷法蘭盤封裝形式(shi)，能夠實現最好(hao)電力(li)設備和熱(re)穩定性(xing)。

特色

7.9–8.4GHz事情

80WPOUT（先進典型值(zhi)）

>13dB最大功率增益(yi)控(kong)制值

33%舉例線型PAE

50Ω室內組合

<0.1dB工作效(xiao)率影響

運用行業領域

聯系衛星聯系

屋面移動寬帶

成品型號

文章的話：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；進入(ru)/傷害匹(pi)配GaNHEMT

最(zui)低的頻繁(MHz)：7900

最(zui)大幀率(lv)(MHz)：8400

最大值效果工作(zuo)電壓(W)：50

增加收益值(zhi)(dB)：13.0

能力（％）：33

特殊工(gong)作電壓(V)：40

結(jie)構類(lei)型：封裝結(jie)構類(lei)型分立晶狀體管

裝封方式行業類別：法蘭部(bu)盤

科技適用：GaN-on-SiC