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CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵相比較，GaN具有更加優異的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷法蘭盤封裝形式，能夠實現最好電力設備和熱穩定性。

特點

7.9–8.4GHz作業

80WPOUT（一般值）

>13dB耗油率增加收益值

33%典型性規則化PAE

50Ω組織結構搭配技巧

<0.1dB工作電壓大幅度降低

應用這個領域

通信衛星通迅

地面磚寬帶網

物品要求

講述：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；填寫/內容輸出組合搭配GaNHEMT

最便宜次數(MHz)：7900

最快速率(MHz)：8400

高值所在電率(W)：50

收獲值(dB)：13.0

率（％）：33

電機額定功率電流值(V)：40

行駛：封裝行駛分立晶狀體管

封裝的方式門類：法蘭部盤

工藝運用：GaN-on-SiC