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NEL Frequency Controls的(de)AE-X32BXX系(xi)列壓控晶體(ti)振(zhen)蕩器（VCXO）具備CMOS/LVCMOS輸出高(gao)頻(pin)率。AE-X32BXX-X系(xi)列壓控晶體(ti)振(zhen)蕩器無需使(shi)用(yong)倍(bei)頻(pin)，具備極低(di)噪聲系(xi)數和抖動。AE-X32BXX-X系(xi)列壓控晶體(ti)振(zhen)蕩器封(feng)裝(zhuang)在某(mou)個根據(ju)FR-4的(de)中小型17x14mm SMD封(feng)裝(zhuang)中。

應該用環節和模塊

·的(de)頻(pin)率生成器(qi)，較低燥聲指數

·平(ping)穩性靠得住-NELHALT/HASS需求結(jie)晶體振(zhen)蕩器(qi)器(qi)調(diao)用條件

·超(chao)底環(huan)境(jing)噪聲標準值和顫動(dong)

·無乘法運算

·絕對的拉力(li)面積（APR）至±1000ppm

·SONET±20ppm建筑(zhu)體自主在使用維持的性能實(shi)用

·高抗(kang)震設防標準性，最多1000克

·COTS/Dualuse