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CMPA1C1D060D是款無定形碳硅多晶硅上結合氮化鎵 (GaN) 高電子遷出率結晶體管 (HEMT) 的片式微波射頻集成化控制電路 (MMIC)；CMPA1C1D060D軟件0.25 μm柵極寸尺拍攝加工工藝。與硅好于較，GaN-on-SiC具備有越來越出眾的機械性能；砷化鎵或硅基氮化鎵；其中包含極高的擊穿電壓場強；極高的過剩智能漂移工作效率和極高的傳熱因子。

共同點

具備 26 dB 小手(shou)機(ji)信號增益(yi)控制值

60 W 類型 PSAT

功率(lv)電(dian)流電(dian)壓高至(zhi) 40 V

高電壓擊穿場強

常溫度控制

APP層面

PTP 無線(xian)網溝通

小行星通迅(xun)上行帶寬路(lu)由(you)協議

的產品品種

描寫：60瓦；12.7 至(zhi) 13.25 GHz；40V；GaN MMIC 工(gong)率擴大(da)器

低于頻(pin)帶寬度(MHz)：12700

最(zui)底頻次(ci)(MHz)：13250

最高的(de)人值內(nei)容(rong)輸出(chu)馬力(W)：65

增加(jia)收(shou)益值(zhi)(dB)：26.0

高效(xiao)率（％）：30

額(e)定值工作電(dian)壓(V)：40

摸式：MMIC 裸片

封口(kou)類目(mu)：Die

技(ji)術設備應該用：GaN-on-SiC