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CMPA1C1D060D是款炭化硅多晶硅上要根據氮化鎵 (GaN) 高電商遷出率多晶體管 (HEMT) 的單面紅外光集成型電線 (MMIC)；CMPA1C1D060D應運0.25 μm柵極尺寸規格創作烹飪工藝。與硅比較較，GaN-on-SiC更具更進一步出眾的功能；砷化鎵或硅基氮化鎵；涉及到更好的擊穿電壓場強；更好的飽滿自動化漂移使用率和更好的熱傳導比率。

本質特征

應有 26 dB 小信息收獲值

60 W 主要 PSAT

特殊直流電壓高至 40 V

高穿透場強

溫度高度控制電腦

使用科技領域

PTP 有線通訊

電力衛星電力上行下行鏈接

車輛金橋銅業跨接線的截面積大小

敘述：60瓦；12.7 至 13.25 GHz；40V；GaN MMIC 耗油率增加器

最低的規律(MHz)：12700

最高的規律(MHz)：13250

最好值導出瓦數(W)：65

增益值值(dB)：26.0

錯誤率（％）：30

額定容量電壓電流(V)：40

基本模式：MMIC 裸片

裝封行業類型：Die

科技使用：GaN-on-SiC