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CREE的CMPA1D1E025F是款炭化硅多晶硅上給出氮化鎵 (GaN) 高手機轉化率多晶體管 (HEMT) 的單面微波射頻集成式電線 (MMIC)；配用 0.25 μm 柵極規格加工的工藝。與硅相較較，GaN-on-SiC體現了愈來愈優良的機械性能；砷化鎵或硅基氮化鎵；富含更為重要的電壓擊穿場強；更為重要的飽和電商漂移高效率和更為重要的傳熱性常數。CMPA1D1E025 常用 10 絞線；25 mm x 9.9 mm；合金金屬/陶瓷圖片卡箍盤封裝類型都可以實現了最完美的不間斷的設備和熱動態平衡性。

基本特征

24 dB 小信號燈增加收益值

40 W 典型示范脈寬無線信號 PSAT

額定功率的電壓高至 40 V

OQPSK 下 20 W 曲線電率

A/B類高收獲；優質率 50 Ω MMIC Ku 頻點段高馬力拖動器

使用區域

軍品用和商用廚房 Ku 中波段雷達探測

物品型號規格

表述：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku 股票波段 GaN MMIC 電功率放小器

至少頻率(MHz)：13500

較高幾率(MHz)：14500

比較高值讀取公率(W)：25

增益控制值(dB)：26.0

運轉成功率（％）：16

功率線電壓(V)：40

款式：封裝的MMIC

二極管封裝分類：蝶閥法蘭盤

高技術：GaN-on-SiC

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