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CREE的CMPA1D1E025F是款增碳硅單晶體上據氮化鎵 (GaN) 高電子廠轉移率氯化鈉晶體管 (HEMT) 的單面徽波集成式電路原理 (MMIC)；所用 0.25 μm 柵極圖片尺寸加工技術。與硅相比較較，GaN-on-SiC兼有更佳非常好的的性能參數；砷化鎵或硅基氮化鎵；富含更加高的穿透場強；更加高的供大于求電子廠漂移熱效率和更加高的傳熱性公式。CMPA1D1E025 建議選用 10 電線；25 mm x 9.9 mm；合金金屬/淘瓷法蘭片盤封裝形式就可以實行最志向的電氣裝置裝置和熱穩定可靠性。

表現形式

24 dB 小無線信號增益值值

40 W 典范電脈沖手機信號(hao) PSAT

額定容(rong)量的電(dian)壓高至 40 V

OQPSK 下 20 W 線型電機功率(lv)

A/B類高收獲；高利用率(lv)的率(lv) 50 Ω MMIC Ku 幾率(lv)段高馬力變成器

應用軟件范疇

軍(jun)品用和商用型 Ku 光(guang)波汽車(che)雷達

的產品規模

敘述(shu)：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku 股票波段(duan) GaN MMIC 輸出功率縮放器

至少頻帶寬度(MHz)：13500

最(zui)快頻段(MHz)：14500

是最高的值內容輸(shu)出(chu)工(gong)率(W)：25

增(zeng)益值值(dB)：26.0

運轉錯誤率（％）：16

額定功率(lv)工作電(dian)壓(ya)(V)：40

的類(lei)(lei)型：封裝類(lei)(lei)型的MMIC

封裝(zhuang)類型(xing)(xing)類型(xing)(xing)：卡箍盤

枝術：GaN-on-SiC

上海市立維創展科枝十分有限企業品牌授權經(jing)售CREE微波加熱器材，要(yao)是應該購CREE新產品，請(qing)點選一側電(dian)話(hua)客服練習他們！！！