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CREE的CMPA1D1E030D是款氧化硅多晶硅上依照氮化鎵 (GaN) 高電子轉入率晶胞管 (HEMT) 的單面微波射頻一體化線路 (MMIC)；CMPA1D1E030D備選0.25μm柵極尺碼系統系統。與硅優于較，GaN-on-SiC具備著相對比較好的的性能；砷化鎵或硅基氮化鎵；包涵極高的擊穿電壓場強；極高的呈現飽和狀態手機漂移率和極高的傳熱比率。

特性

27 dB 小數據收獲值

30 W 典型性(xing) PSAT

運作直流(liu)電壓高至 40 V

高穿透場強

較高溫度度遠程控制

操作前沿技術

通信網絡衛星通信網絡下行(xing)外鏈(lian)

車輛技術參數

描述英文：30瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 工(gong)作(zuo)電壓放小器

評均聲音頻率(MHz)：13750

最低頻(pin)繁(MHz)：14500

最底值效果最大功率(W)：30

增益控制值(dB)：26.0

轉化率(lv)（％）：25

操(cao)作電壓降(V)：40

模式：MMIC 裸片

打包封裝類：Die

高技(ji)術(shu)：GaN-on-SiC

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