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CREE的CMPA1D1E030D是款氧化硅單晶體上據氮化鎵 (GaN) 高電子技術變遷率多晶體管 (HEMT) 的單支微波射頻集合線路 (MMIC)；CMPA1D1E030D使用的0.25μm柵極盡寸加工過程技巧。與硅比起來較，GaN-on-SiC都具有非常市場大的的功效；砷化鎵或硅基氮化鎵；主要包括較高的擊穿電壓場強；較高的是處于飽和狀態網絡漂移效應和較高的傳熱性比率。

表現形式

27 dB 小無線信號增益值值

30 W 主要表現 PSAT

業務電壓降高至 40 V

高穿透場強

較高溫度度遠程操作

廣泛應用教育領域

定位通信技術上行下行時延

類產品樣式

描繪：30瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 電機功率縮放器

最少率(MHz)：13750

高達的頻率(MHz)：14500

較高值所在耗油率(W)：30

增益值值(dB)：26.0

轉化率（％）：25

工作上交流電壓(V)：40

樣式：MMIC 裸片

封裝行業類型：Die

新技術：GaN-on-SiC

成都 市立維創展科技創新有限機構英文機構品牌授權供應商CREE微波加熱元器件封裝，如果需購CREE貨品，請單擊左面客戶關系大家！！！