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CREE的CMPA2735030是種跟據氮化鎵 (GaN) HEMT 的單面紅外光集成式電源線路 (MMIC)。與硅或砷化鎵相較較，GaN具備更佳出色的功效；具有會高的穿透場強；會高的飽滿網上漂移有效率和會高的導電因子。與Si和GaAs單晶體管相比較較，GaN HEMT還展示了更強的耗油率密度計算和更寬的速率。CMPA2735030還包括有級電抗匹配工作效率變大器的設計理念，能夠實現了非常寬的服務器帶寬。

共同點

額定的線電壓(ya)到達 50 V

高擊穿電壓場強

大小為 5mm x 5mm；QFN 封裝

氣溫度安全使用

應用軟件范疇

軍用型和軍工行業用脈寬(kuan)雷達天線工作電(dian)壓放小(xiao)器

物品標準

描敘：30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 馬(ma)力擴大器

更低幾(ji)率(MHz)：2700

最多規律(MHz)：3500

極高值(zhi)所在(zai)平均功率(W)：30

增加(jia)收益值(dB：)30.0

操作提(ti)高(gao)工作效率（％）：45

額(e)定值(zhi)的電壓(ya)(V)：50

狀態：離(li)散裸單片(pian)機芯片(pian)

封口類目(mu)：Die

能力：GaN-on-SiC

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