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CREE的CMPA2735030是種隨著氮化鎵 (GaN) HEMT 的單面紅外光結合電路設計 (MMIC)。與硅或砷化鎵想必較，GaN體現了越來越出眾的耐熱性；還包括挺高的損壞場強；挺高的趨于穩定電子為了滿足電子時代發展的需求，漂移高效率和挺高的熱傳導常數。與Si和GaAs結晶管比起較，GaN HEMT還出示了較高的輸出密度單位和更寬的帶寬起步。CMPA2735030主要包括二級電抗適用熱效率增加器規劃構思，可能保證無比寬的上行帶寬。

的特點

額定的電壓可高達 50 V

高擊穿電壓場強

屏幕寬度匹配為 5mm x 5mm；QFN 二極管封裝

常溫度的使用

應用軟件層面

商用型和民品用脈寬統計效率調小器

物料尺寸規格

敘述：30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 電功率拖動器

比較低速率(MHz)：2700

最好頻帶寬度(MHz)：3500

至高值導出工作效率(W)：30

增益控制值(dB：)30.0

崗位吸收率（％）：45

額定的電阻(V)：50

的形式：離散裸集成電路芯片

芯片封裝等級分類：Die

科技：GaN-on-SiC

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