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UMS徽波CHK5010-99F是一款革命性的4W氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)，可為各種射頻功率應用提供多功能寬帶解決方案。該產品在SiC襯底上采用GaNHEMT技術制造，確保了優異的性能和可靠性。

結晶管以裸晶片類型展示 ，需要表面切換電源電路就可以多方面發揮出其潛能。或許，真是這款來設計性能傳遞了CHK5010-99F多種多樣的功能鍵和大面積的廣泛應用潛能。首要結構特征包擴其不錯的網絡帶寬學習能力，扶持會達到12 GHz的脈沖發生器和連續性波方法。基本概念GaN技木，該設計的概念可進行高傷害和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA時進行最適宜耐磨性。然而，該單片機芯片有0.90x0.80x0.1mm的寬敞尺寸，也許在受阻的空間中也會放松集成系統。現在其優秀的性能參數，CHK5010-99F還遵循RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006規定，確保安會的環保和安會。這讓大家在進行和動用成品時安怡，而無須在意對生態的不好的影向。肯定，CHK5010-99F就是一款適合滿意的高耐熱性GaN結晶體管，有著常見的運用和精湛的功效。其讓人覺得之春最深的耐熱性和復合行業中準則使其擁有頻射工作功率運用的可靠的抉擇，為該前沿技術開發了新的情況。

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Gss	Small Signal Gain		21.6		dB
PsAT	Saturated Output Power		36		dBm
PAE	Max Power Added Efficiency		72		dB
GPAE_MAX	Associated Gain at Max PAE		14		dB

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