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CGH40045FE頻射耗油率晶狀體管CREE 外盤產生

上線周期:2024-05-21 08:45:14     看:823

  CGH40045FE射頻功率晶體管是CREE公司提(ti)供的(de)一款性(xing)能優越的(de)氮化鎵(GaN)高(gao)電(dian)(dian)子遷移(yi)率(lv)(lv)晶體管(HEMT)。它操作(zuo)在28伏的(de)電(dian)(dian)壓軌道上,為各種(zhong)射頻和微波應用提(ti)供通用寬帶解決方案。該晶體管具(ju)有高(gao)效率(lv)(lv)、高(gao)增益和寬帶性(xing)能,適用于線性(xing)和壓縮放大器(qi)電(dian)(dian)路。

CGH40045FE射頻功率晶體管CREE

  以下是CGH40045FE射頻功率晶體管的一些特征:

  1.運轉頻次達到4 GHz  2.在2.0 GHz時享有16 dB的小的信號增加收益,在4.0 GHz時為12 dB  3.PSAT(趨于穩定效果電功率)為55 W  4.做工作的電壓28 V

  應用:

  2路私下無線路由電:應用在私下通信網絡機器中的發和收傳感器。  聯通光纖寬帶變小器:采用需要低頻聯通光纖寬帶變小器的選用,如電信寬帶知識基礎措施等。  蜂窩知識基礎建筑設施:需用于蜂窩網信號塔和設施設備的rf射頻接入功能。  測試英文方法檢測設備器:選使用于很多測試英文方法檢測設備器的rf射頻信息調小接口。  A類,AB類,規則化縮放器:實使用一些幅度調制原則(如OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA)下的規則化和再壓縮縮放器定制。

產品選型:

Order NumberDescriptionInit of MeasureImage
CGH40045FGaN HEMTEachimage.png
CGH40045PGaN HEMTEachimage.png
CGH40045F-AMPTest board with GaN HEMT installedEachimage.png
CGH40045P-AMPTest board with GaN HEMT installedEach

南京市立維創展科技亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区CREE的廠商商,收獲CREE微波通信集成電路芯片優勢供貨方式方式渠道方式,并長久倉庫外盤,以作中國有行業市場需求。

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