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CMPA5585025F頻射調小器CREE

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  CREE的(de)(de)(de)CMPA5585025F是一款(kuan)基于(yu)氮化鎵(GaN)高(gao)(gao)電(dian)子遷移率晶體(ti)管(guan)(guan)(HEMT)的(de)(de)(de)單片微波集成電(dian)路(lu)(MMIC)。相比硅或砷(shen)化鎵,GaN具有(you)更(geng)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)性能,包括更(geng)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)擊穿電(dian)壓、更(geng)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)飽和(he)電(dian)子漂(piao)移速度和(he)更(geng)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)導熱性。與(yu)Si和(he)GaAs晶體(ti)管(guan)(guan)相比,GaN HEMT提供更(geng)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)功(gong)率密度和(he)更(geng)寬的(de)(de)(de)帶(dai)寬。該(gai)MMIC采用(yong)10引(yin)線金屬(shu)/陶瓷法(fa)蘭封裝,具有(you)最佳的(de)(de)(de)電(dian)氣和(he)熱性能。


CMPA5585025F射頻放大器CREE

  特性:

  25db小的信號增益控制  35w類型PSAT  工作上敢達28 V  高熱擊穿交流電壓  較高溫度操作方法  長度1.00 x 0.3859英寸  該rf射頻增加器使在雙向wlan電、通訊網絡并且 衛星影像通訊網絡上行下行等采用。

Typical Performance Over 5.8-8.4 GHz(T?=25G):

Parameter5.8 GHz6.4 GHz7.2 GHz7.9 GHz8.4 GHzUnits
Small Signal Gain29.524.024.024.022.0dB
Output  Power11523201919W
Power  Gain121.719.517.218.518.6dB
Power Added Efficiency302520.51919.5%

東莞 市立維創展科技公司CREE的經銷處商,擁有著CREE徽波電子器件特色購貨推廣渠道,并太久庫存管理外盤,以作國內 市面 實際需求。

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