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發(fa)布了日(ri)子:2024-06-07 08:41:20 瀏覽訪問:961
CREE的(de)(de)(de)CMPA5585025F是一款(kuan)基于(yu)氮化鎵(GaN)高(gao)(gao)電(dian)子遷移率晶體(ti)管(guan)(guan)(HEMT)的(de)(de)(de)單片微波集成電(dian)路(lu)(MMIC)。相比硅或砷(shen)化鎵,GaN具有(you)更(geng)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)性能,包括更(geng)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)擊穿電(dian)壓、更(geng)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)飽和(he)電(dian)子漂(piao)移速度和(he)更(geng)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)導熱性。與(yu)Si和(he)GaAs晶體(ti)管(guan)(guan)相比,GaN HEMT提供更(geng)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)功(gong)率密度和(he)更(geng)寬的(de)(de)(de)帶(dai)寬。該(gai)MMIC采用(yong)10引(yin)線金屬(shu)/陶瓷法(fa)蘭封裝,具有(you)最佳的(de)(de)(de)電(dian)氣和(he)熱性能。

特性:
25db小的信號增益控制 35w類型PSAT 工作上敢達28 V 高熱擊穿交流電壓 較高溫度操作方法 長度1.00 x 0.3859英寸 該rf射頻增加器使在雙向wlan電、通訊網絡并且 衛星影像通訊網絡上行下行等采用。Typical Performance Over 5.8-8.4 GHz(T?=25G):
| Parameter | 5.8 GHz | 6.4 GHz | 7.2 GHz | 7.9 GHz | 8.4 GHz | Units |
| Small Signal Gain | 29.5 | 24.0 | 24.0 | 24.0 | 22.0 | dB |
| Output Power1 | 15 | 23 | 20 | 19 | 19 | W |
| Power Gain1 | 21.7 | 19.5 | 17.2 | 18.5 | 18.6 | dB |
| Power Added Efficiency | 30 | 25 | 20.5 | 19 | 19.5 | % |
東莞 市立維創展科技公司是CREE的經銷處商,擁有著CREE徽波電子器件特色購貨推廣渠道,并太久庫存管理外盤,以作國內 市面 實際需求。