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咱們該報告半個個高能力的GaN MMIC最大功效調小器上班在40MHz到400MHz之前。這一個滿足80W單輸入脈沖（100US單輸入脈沖高寬比和10%占空比）MMIC反復的）內容輸入最大功效（P5dB），40MHz，50W吸收率為54%大慨30%的吸收率在大有些的中部中波段，和在400MHz時，吸收率會逐漸影響到30W，吸收率為22%。40-400MHz頻段的最大功效增加收益為25dB。這一個加帶寬能力是能夠 剪裁設施來滿足的。內容輸入抗阻，并選用奇特的帶寬電源線路適配拓撲關系學。多種設施的詳細的制定方法并得到適配電源線路。指標合同法-帶寬調小器，高電壓電流方法，微波加熱電子元件，GaN MMIC PA.

一、引言
寬帶、大功率、高效率放大器是關鍵高級通信系統中的元素，如搜索和救援消防員、警察和海岸用軟件無線電警衛。實現寬帶的傳統技術放大是利用行波（TW）方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路進行變換。該設備的輸入阻抗和輸出阻抗達到50歐姆（3）。這個TW技術使用多個裝置模擬50歐姆。傳輸線實現寬帶寬。寬頻帶匹配方法具有尺寸小的優點。然而，如果大功率器件的輸出阻抗相差很大從50歐姆，這種方法的輸出匹配電路遭受大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器輸出。權力與效率。本文將FET串聯堆疊技術應用于最大化功率從PA [4-9]。還有大小功率級器件優化綜合最優
輸出阻抗接近50歐姆。這種方法使相對輸出阻抗匹配電路的設計，導致匹配電路中的低射頻損耗，導致高輸出功率寬帶高性能功率增加效率。
二。GaN單片集成電路設計
獲得超過20dB的功率增益，這是一個標稱規格在許多應用中，兩階段配置與基于TrimQuin的0.25m選擇級間匹配GaN HEMT工藝。圖1示出50W單片集成電路的照片。第一級器件尺寸為2.4mm，分為兩個1.2mm的路徑。第二級器件尺寸為16.8mm。
四，3系列1.4毫米HEMT組成。3x1.4mmHIFET裝置是DC和RF的三個1.4mm單位單元。
一系列表（圖2）。直流線電壓偏置線電壓和頻射效果阻抗匹配匹配此種HIFET是1.4mm的公司充電的3倍。器，特點是在中頻段。利用恰當的采用的公司標段機械設施設備的長寬比和標段標段機械設施設備的比例一系列表，公司行優化提升HIFET效果阻抗匹配匹配為達到50歐姆，以實行寬帶網絡性能指標。