QPD0030 GaN頻射工作效率氯化鈉晶體管Qorvo現貨交易
發表周期:2024-07-24 08:46:28 瀏覽訪問:847
QPD0030是Qorvo公司生產的一款高性能GaN射頻功率晶體管,它采用了SiC
HEMT(碳化硅高電子遷移率晶體管)技術。這款晶體管在48V電源軌上工作,頻率范圍從直流(DC)至5GHz,輸出功率在P3dB點達到45W,非常適合用于基站、雷達和通信系統等應用。

QPD0030的主要的顯著特點主要包括: - 率范圍之內:DC至5GHz - 內容輸入最大瓦數(P3dB):在2.2GHz聲音頻率下,內容輸入最大瓦數大約49W。 - 直線增益控制控制:在2.2GHz平率下,其最典型的增益控制控制為22.3dB。 - 典型示范PAE3dB:在2.2GHz頻次下,吸收率獨角獸高達71.5%。 - 崗位電阻值:48V。 - 低水冷散熱量芯片封裝:在高耗油率崗位時高效水冷散熱,增加元件的安穩性和蓄電量。 - 扶持間隔波(CW)和輸入脈沖運作機制 QPD0030可能用途于Doherty構架中,尤為適于做不同規格的中小型蜂窩、微蜂窩和有源同軸電纜軟件的通信通信基站工作效率調大器的第四級,也可能用在微蜂窩通信通信基站工作效率調大器的帶動器。該電子器件運用了業標準化的4x3mm從表面貼裝QFN裝封,能夠整合到當下的微波射頻軟件裝修設計中。
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