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CGH35060P2晶胞管CREE

發布(bu)信息周期:2024-08-27 09:21:16     觀(guan)看:625

  CREE CGH35060P2是一款(kuan)專為(wei)高效(xiao)率設計的(de)氮(dan)化鎵(GaN)高電子遷移率晶(jing)體(ti)管(HEMT)。這款(kuan)晶(jing)體(ti)管具有(you)高增益和(he)寬(kuan)帶寬(kuan)能力,特(te)別適合在3.1至3.5 GHz的(de)S波段進(jin)行脈沖放大器應用(yong)。它采用(yong)了(le)陶瓷(ci)/金(jin)屬(shu)法蘭和(he)藥(yao)丸封(feng)裝,確保了(le)其在特(te)定應用(yong)中的(de)可(ke)靠性和(he)穩(wen)定性。

CGH35060P2晶體管CREE

  主要特征:

  操作方法規律超范圍:3.3至3.6 GHz  峰峰值瓦數性能:60W  小網絡信號增益值:12 dB  在8瓦讀取時的誤差率向量大幅度(EVM):< 2.0%  在8瓦打印輸出時的排水系統熱效率:25%  技術應用:WiMAX緊固連結(802.16-2004 OFDM)和WiMAX手機連結(802.16e OFDMA)

  技術規格:

  產品編號規則:CGH35060P2  表述:60瓦,3100至3500兆赫,28V氮化鎵HEMT  輕柔的頻次:3100 MHz  主要頻繁:3500 MHz  基線傳輸馬力:60W  增加收益:12.0 dB  吸收率:60%  事業交流電壓:28V  裝封主要形式:分立單晶體管,卡箍、丸  水平:GaN-on-SiC(無定形碳硅基氮化鎵)  CGH35060P2多結晶體管由于高錯誤率的率和適適合于中頻操作的的優點,在無限光纖通信和雷達探測系統的等高性使用中行為卓越。其氮化鎵工藝展示 了具有傳統文化硅基多結晶體管的性,很大是在高溫順油田情況下。

成都 市立維創展高新科技CREE的經售商,收獲CREE微波加熱元器件封裝的優勢要貨推廣方式,并長期的存儲期貨,以期中國有股票市場要求。

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