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　　CREE CMPA2935250S 是(shi)一款基(ji)于(yu)氮化鎵(GaN)高(gao)電(dian)子遷移率(lv)(lv)晶體管(HEMT)的(de)(de)(de)單片微波集(ji)成電(dian)路(MMIC)功率(lv)(lv)放(fang)大器，適用于(yu)工作頻(pin)率(lv)(lv)在3.1 GHz到3.7 GHz的(de)(de)(de)應用。GaN 相比硅或砷化鎵具(ju)有更高(gao)的(de)(de)(de)擊穿電(dian)壓、更高(gao)的(de)(de)(de)飽和(he)電(dian)子漂移速度以(yi)及更高(gao)的(de)(de)(de)熱導(dao)率(lv)(lv)，從而提供了更高(gao)的(de)(de)(de)功率(lv)(lv)密度和(he)更寬的(de)(de)(de)帶寬。該 MMIC 采用兩級反(fan)應匹配放(fang)大器設計，能夠在8 mm x 8 mm表面安裝封裝(QFN封裝)中實現(xian)高(gao)功率(lv)(lv)和(he)高(gao)功率(lv)(lv)附加(jia)效率(lv)(lv)。

　　特點：

　　應用：

　　性能參數：

長沙市市立維創展科技產業是CREE的代理商商，占有CREE微波通信電子元器件優劣勢供貨產品線產品線，并長期性的貨存現貨平臺，以供我們專業市場各種需求。