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AMCOM的AM020MH2-A-BI-R是其BI系列GaAs HiFET的一部分。這款HiFET是一種部分匹配的專利設計,適用于高電壓、高功率和寬帶應用。此組件具有4毫米的總設備周長。AM020MH2-BI-R專為高功率微波應用設計,頻率范圍最高可達6GHz。
BI款型采取很大裝修設計的工業陶瓷打包芯片封裝,更具直引腳使用復古風。打包芯片封裝上端的卡箍同時看做DC與地面線、RF與地面線和,散熱處理方向。還全是種可以彎曲的引腳版本升級符合于外表面貼裝技術操作(SMT)操作。特點
- 聯通寬帶部份連接:DC至2.4GHz - 低頻進行操作:可以達到6GHz - 高增益控制控制:在3.5GHz時增益控制控制15dB - 高電功率:在3.5GHz時P1dB為31dBm - 高直線度:在3.5GHz時IP3為46dBm - 左下角與地面可行散熱管應用
- 帶寬廣泛應用 - 高交流電壓10V至14V - wlan局域網共享 - PCS通信基站 - WLAN、中繼器和HIPERLAN - 預警雷達和飛機維修溝通參數:
Bias at 14V/270mA (S2P file downloadable from the Web) | ||||||||
Freq (MHz) | MAG(S11) | ANG(S11) | MAG(S21) | ANG(S21) | MAG(S12) | ANG(S12) | MAG(S22) | ANG(S22) |
200 | 0.621 | -18.621 | 8.642 | 167.68 | 0.045 | 13.795 | 0.405 | 4.177 |
500 | 0.631 | -43.6 | 8.277 | 149.531 | 0.036 | -25.302 | 0.509 | -3.917 |
1000 | 0.64 | -80.941 | 7.365 | 121.484 | 0.028 | -26.833 | 0.578 | -25.813 |
1500 | 0.679 | -107.195 | 6.336 | 98.301 | 0.025 | -25.939 | 0.601 | -44.057 |
2000 | 0.683 | -130.367 | 5.444 | 76.973 | 0.024 | -29.102 | 0.615 | 60.441 |
3000 | 0.687 | -167.484 | 4.115 | 39.754 | 0.02 | -40.691 | 0.647 | 88.875 |
4000 | 0.677 | 163.773 | 3.294 | 7.847 | 0.014 | -56.361 | 0.692 | -112.52 |
5000 | 0.641 | 137.336 | 2.805 | -21.489 | 0.003 | -153.734 | 0.706 | -129.172 |
6000 | 0.599 | 105.863 | 2.726 | -51.602 | 0.023 | 43.555 | 0.79 | 146.367 |
7000 | 0.541 | 58.244 | 2.604 | -87.004 | 0.037 | 7.578 | 0.817 | -166.602 |
8000 | 0.571 | 0.882 | 2.359 | 125.16 | 0.047 | -25.074 | 0.839 | 172.109 |
9000 | 0.687 | -45.787 | 2 | -162.023 | 0.057 | -52.545 | 0.83 | 150.031 |
10000 | 0.808 | -78.57 | 1.688 | 163.75 | 0.069 | 80.164 | 0.799 | 126.715 |
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