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CREE的WGC22630是款630 W（P4dB）GaN-on-Silicon Carbide HEMT放大器，非常適合多標準化蜂窩功率放大器技術需求設計。WGC22630具備2110-2200 MHz的優化操作控制熱增強的包覆塑料封裝。

表現形式GaN基SiC HEMT技巧單脈沖造成的發生器CW穩定性：2155 MHz，48 V，40μs脈沖造成的發生器高寬比，10%pwm占空比，組合公式設置工作輸出導出工作功率@P4dB=630 WP4dB=68%時的工作效率需要滿足RoHS細則化護膚品外形尺寸說明：熱減弱GaN放小器630 W，48 V，2110-2200 MHz更高幾率（MHz）：2200電額定電壓（V）：48PSAT Watt（W）：85收獲（dB）：16.5打包封裝：TO288-8L北京市立維創展科技創新非常有限機構授權許可生產商CREE微波通信功率器件，要是需要購CREE品牌，請打開左面博主找我們大家！！！