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GaN寬帶晶體管模具
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT不是種聯通寬帶結晶管存儲芯片，對應DC-3.5 GHz做工作上做好了調整。該元器認可CW，脈沖信號和曲線做工作上，傳輸瓦數為45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150尤其實主要用于民防通信裝置，大陸手機移動wifi電，航空航天自動化裝置，wifi基礎知識裝置，ISM應運和VHF / UHF / L / S波長雷達探測。利用SIGANTIC®工序制造出 - 另一種專有的GaN-on-Silicon技術工藝。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	MATR-GSHC03-160150	1周	120

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特征
 Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
 2.5 GHz時54％的漏極效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 寬帶操作DC - 3.5 GHz
 適用于線性和飽和應用
 活動區周邊：16毫米
 100％DC測試
 符合RoHS *標準
 芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出口分類：EAR99

應用
 航空電子學
 國防通訊
 ISM應用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
測試頻率：2.5 GHz
增益：12 dB
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是高度惟一全家人在rf射頻選用的GaN on Si能力性生產商商。企業在Si RF電工作效應尖晶石管新商品上保證具有廣泛性的反復波（CW）GaN，為分立元器和傳感器，設計策劃方案工作的在DC至6 GHz。企業的高電工作效應CW和直線尖晶石管是民用型中國航空智能生產設備，通訊網，網，長脈沖信號聲納并且 行業，生物學和醫療機構選用的好會選擇。企業的新商品搭配組合回收利用了MACOM超60年的民俗，即便是用GaN on Si能力性保證標淮和私人定制解決策劃方案，以充分考慮潛在客戶最刻薄的訴求。企業的GaN on Silicon新商品，采取分立尖晶石管和集成系統調大器，采取0.5納米HEMT施工工藝，在電工作效應，收獲，收獲出平整度，效應方便現象出成績突出的RF效果，