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CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D基本模式擴大器，適用來于多標準蜂窩狀瓦數擴大器技術水平APP。GTVA261802FC-V1配備發送兼容、錯誤率率和無軸環熱資料封裝的基本特征。

設備型號規格

分析：SiC HEMT上的高最大功率RF GaN 170 W，48 V，2620-2690 MHz

最便宜頻繁（MHz）：2620

最明顯的頻繁（MHz）：2690

P3dB輸出精度輸出（W）：170

增益值值（dB）：16.8

提高速度率（%）：43

額定的工作電壓（V）：48

二極管封裝等級分類：Earless

芯片封裝類型：芯片封裝類型分立晶胞管

枝術：SiC上的GaN

特征描述

?GaN-on-SiC HEMT技術

?設置更換

?關鍵的電磁CW功能，組合名字輸出精度，

2690 MHz，48 V，10μs單脈沖厚度，10%pwm占空比

-P3dB=170W時的傳輸熱效率

-P3dB時的漏不低工作效率=65.5%

-P3dB=15dB時的收獲值

?可以結束48 V、180 W（CW）輸入額定功率下10:1的VSWR

?女模特建模方法1A級（隨著ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低傳熱彈性系數

?無鉛并需求RoHS基準

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