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CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D傳統模式放小器，符合于多標淮蜂窩狀工率放小器的技術選用。GTVA261802FC-V1必備讀取兼容性測試、高效化率和無軸環熱激發二極管封裝的特質。

產品設備要求

闡明：SiC HEMT上的高功效RF GaN 170 W，48 V，2620-2690 MHz

低于(yu)幾率（MHz）：2620

最(zui)明(ming)顯的(de)速度（MHz）：2690

P3dB轉換輸(shu)出（W）：170

增益值(zhi)值(zhi)（dB）：16.8

有工作效(xiao)率（%）：43

額定值電阻（V）：48

封裝(zhuang)形(xing)式品(pin)目(mu)：Earless

芯(xin)片(pian)打(da)(da)包(bao)封裝：芯(xin)片(pian)打(da)(da)包(bao)封裝分立納米線管

技術工藝：SiC上的GaN

功能

?GaN-on-SiC HEMT技術應用

?導入兼容

?經典的脈寬CW耐熱性，組和傳(chuan)輸，

2690 MHz，48 V，10μs單脈沖高寬比，10%pwm占空比

-P3dB=170W時的輸出(chu)額定功率

-P3dB時(shi)的漏越高高效(xiao)率(lv)=65.5%

-P3dB=15dB時的增益(yi)值(zhi)值(zhi)

?可以已完(wan)成(cheng)48 V、180 W（CW）導出工作功率下10:1的VSWR

?女模特模板1A級（依照ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低導電標準值

?無鉛并無法RoHS規定(ding)

武漢市立維創(chuang)展科技創(chuang)新比較實業(ye)公司(si)授權(quan)書(shu)生產(chan)商(shang)CREE微(wei)波射(she)頻元器，要是須得(de)購CREE產(chan)品的，請(qing)超鏈(lian)接(jie)左側克服(fu)去(qu)聯系(xi)各位！！！