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GTRA262802FC是CREE的250瓦（P3dB）GaN on SiC 高工作效率RF GaN變大器，利用于多規則蜂窩狀電機功率變大器技木利用。GTRA262802FC滿足輸出匹配、高效化率和無軸環熱強化打包封裝的性能。

金橋銅業跨接線的截面積大小參數值

舉例說明：SiC HEMT的(de)高工作效率RF GaN 250 W；48v；2490-2690MHz

低(di)于(yu)頻(pin)段（MHz）：2490

最多(duo)聲音頻率（MHz）：2690

P3dB輸出的工作功(gong)率（W）：250

增(zeng)益值值（dB）：14

有效率（%）：54

功率直流電壓（V）：48

封裝類類：Earless

芯片(pian)二(er)極管(guan)封裝：芯片(pian)二(er)極管(guan)封裝分立晶(jing)胞管(guan)

技(ji)木應運：SiC的GaN

特證

?GaN-on-SiC HEMT技術工藝軟件

?輸人自適應

?主要的電脈沖(chong)CW耐熱性，2605 MHz，48 V，樂隊組合傷害，16μs激光脈沖(chong)長(chang)寬比(bi)，10%pwm占空比(bi)

-P3dB=250W時的(de)輸出(chu)精度電功率

-高效率=62%

-增益值值=14.4 dB

?而(er)且在48 V、38 W（CW）輸入輸出平均功率下操控10:1 VSWR

?中國女模類(lei)別1A級（可根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低散熱量

?無鉛并提供RoHS規(gui)則

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