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GTRA262802FC是CREE的250瓦（P3dB）GaN on SiC 高電率RF GaN變成器，應用軟件于多細則蜂窩狀工率變成器技術性應用軟件。GTRA262802FC有著填寫支持、科學規范率和無軸環熱改善封裝形式的性能特點。

規格參數指標參數指標

描述：SiC HEMT的高最大功率RF GaN 250 W；48v；2490-2690MHz

最少率（MHz）：2490

最快速率（MHz）：2690

P3dB內容輸出效率（W）：250

增益控制值（dB）：14

轉化率（%）：54

額定值相電壓（V）：48

芯片封裝的類型：Earless

打包打包封裝：打包打包封裝分立氯化鈉晶體管

枝術利用：SiC的GaN

特點

?GaN-on-SiC HEMT工藝采用

?設置適用

?常見的脈沖發生器CW耐熱性，2605 MHz，48 V，組和效果，16μs脈寬厚度，10%pwm占空比

-P3dB=250W時的讀取馬力

-效果=62%

-增益值值=14.4 dB

?時候在48 V、38 W（CW）轉換輸出阻抗下運營10:1 VSWR

?名模模特1A級（不同ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低散熱量

?無鉛并擁有RoHS標準單位

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