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?PXAE263708NB-V1 S光波大電機功率頻射LDMOS場作用尖晶石管

公布(bu)的事件:2024-11-04 16:57:13     手(shou)機瀏覽(lan):668

PXAE263708NB-V1是CREE的一臺400瓦(P3dB)LDMOS FET,使用于2620至2690 MHz頻段的多基準蜂窩狀工作效率調小器新技術軟件。分為輸入的輸出兼容性測試;高增益值并且 享有無突緣的熱增強學習封裝類型行駛。PXAE263708NB-V1選取獨具特色的LDMOS方法枝術;PXAE263708NB-V1兼備保持良好的熱穩界定性和不錯的安會能力。

PXAE263708NB-V1.png

車輛規格參數

闡釋(shi):高熱效率RFLDMOS FET400W(P3dB);28v;2620-2690MHz

低頻繁 (MHz):2620

最高的人頻(pin)帶(dai)寬度(MHz):2690

P3dB打出熱效率(W):400

增加收益(dB):13.5

成功率(%):47

額(e)定(ding)的(de)的(de)電壓(V):28

二(er)極管封(feng)裝種類:泡沫(mo)塑料

裝封:裝封類(lei)型分立結晶體管

技藝:LDMOS

的特征

移(yi)動寬帶的內部填(tian)寫效果支持(chi)

非中心對稱性Doherty裝修設(she)計(ji):主P1dB=140W典(dian)范值(zhi);高值(zhi)P1dB=260 W典(dian)型的(de)值(zhi)

其(qi)最典型(xing)的(de)(de)的(de)(de)脈沖發生器CW性(xing)能指標;2655MHz;28v;多爾(er)蒂構型(xing);AB類:P1dB=200W時的(de)(de)工作輸(shu)出工作功率;P3dB=400W時的(de)(de)輸(shu)入電率;生產率=49%(POUT=57 W對數正態分布);收(shou)獲=15 dB(POUT=57 W平均)

夠加工32 V時10:1的VSWR;100 W(CW)輸入輸出熱效率

模塊化化ESD保養

無(wu)鉛并考(kao)慮RoHS條件

廣州(zhou) 市(shi)立維創(chuang)展(zhan)科技企業非常有限(xian)企業商標授權經(jing)售CREE微波射頻元件,倘若必須要購(gou)CREE產品,請(qing)點擊量(liang)右測博(bo)主溝通我(wo)國!!!

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