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氮化鎵28V，45W，DC-3.5 GHz HEMT
NPT1015B GaN HEMT是款針對性DC-3.5 GHz業務改進的光纖寬帶結晶管。該電子元件方案構思代替CW，單脈沖和線型業務，效果熱效率為45W（46.5 dBm），用工業制造標準彩石陶瓷廠家封裝形式，有帶螺柱活套法蘭。該成品方案構思好用，傳熱系數低，牢固好用，就可以經受輸人和效果的極為不自動匹配，不易丟失機械設備。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	NPT1015B	1周	150

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特征
 適用于線性和飽和應用
 堅固耐用的設計通過15：1 VSWR測試
 高排水效率（> 55％）
 行業標準包裝
 28V操作
 可從DC-3.5 GHz調諧
 在TJ = 200°C時MTTF> 106可靠(kao)

應用
 航空航天與國防
 航空電子學
 國防通訊
 主義
 VHF / UHF / L波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦
增益：14 dB
測試頻率：2.5 GHz
Theta JC：2.1 C / W.

MACOM是中國必然的一家用做微波射頻應用領域的GaN on Si技術廠家直銷商。大家都在Si RF輸出電率晶胞管商品上展示比較廣泛的聯續波（CW）GaN，看做分立電率器件和輸出模塊，設計的運作在DC至6 GHz。大家都的高輸出電率CW和線形晶胞管是民用建筑中國航空電子系統機，通信網洛，網洛，長脈沖發生器統計或者重工業，科學合理和治療應用領域的抱負首選。大家都的商品組合公式用了MACOM多于60年的過去的，縱然用GaN on Si技術展示的標準和個人定制解決方法規劃，以足夠買家最嚴苛的訴求。大家都的GaN on Silicon商品，進行分立晶胞管和智能家居控制調小器，進行0.5納米HEMT工藝設計，在輸出電率，增加收益，增加收益溝壑度，吸收率方向表面出表現出色的RF效果，