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GTRB204402FC/1是CREE的四款350瓦（P3dB）的SiC上GaN高光學遷入率晶胞管（HEMT），專業專注于多標準的蜂窩狀輸出功率圖像運放電路技木操作訴求設定。GTRB204402FC必備條件使用率率和無軸環的熱怎強封口。

物品規格尺寸

講述：SiC HEMT上的(de)高瓦數RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

最(zui)小規律（MHz）：1930

是最高(gao)的速(su)度(du)（MHz）：2020

P3dB內容輸(shu)出(chu)熱效率（W）：350

增益值值（dB）：16.3

熱效率高率（%）：58

額(e)定功率線電壓（V）：48

封裝(zhuang)類型等級分類：Earless

封裝(zhuang)類型(xing)：封裝(zhuang)類型(xing)分立晶(jing)胞管(guan)

工藝：SiC上(shang)的GaN

功能

基本特征(zheng)的脈寬(kuan)CW耐熱性，2020 MHz，48 V，10μs脈寬(kuan)凈寬(kuan)，10%pwm占空(kong)比，三人組合(he)導(dao)出

P3dB=350W時的(de)輸出工作(zuo)電壓

P3dB時(shi)的高(gao)率=65%

嫩模整(zheng)治(zhi)1C級（據(ju)ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

無鉛并夠滿足RoHS規范標準

西安市立維創展科技開發(fa)是(shi)有限的司認證經售CREE紅外光(guang)元器件，假如須得購(gou)CREE產(chan)品(pin)，請雙擊(ji)左側客戶連(lian)系(xi)自己！！！