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GTRB204402FC/1是CREE的1款350瓦（P3dB）的SiC上GaN高微電子滲透率結晶體管（HEMT），著眼于打造于多標淮蜂窩狀電功率縮放器系統軟件要求定制。GTRB204402FC有高效能率和無軸環的熱增強二極管封裝。

服務規模

簡述：SiC HEMT上的高電率RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

最少頻帶寬度（MHz）：1930

非常高速度（MHz）：2020

P3dB轉換工作電壓（W）：350

增益控制值（dB）：16.3

高效性率（%）：58

功率電流值（V）：48

裝封門類：Earless

封裝：封裝分立結晶管

的技術：SiC上的GaN

特性

關鍵的輸入脈沖CW特性，2020 MHz，48 V，10μs脈沖信號：寬度，10%pwm占空比，結合打出

P3dB=350W時的輸出的工作功率

P3dB時的高效性率=65%

女模特模型工具1C級（會按照ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

無鉛并需要滿足RoHS要求

北京市立維創展網絡局限子公司認證經售CREE微波射頻功率器件，若是可以購CREE廠品，請點開左側客戶服務認識人們！！！