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GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦（P3dB）的SiC上GaN高電子無線移動率氯化鈉晶體管（HEMT），使用在多標準的蜂窩狀效率縮放器枝術使用。GTRB226002FC-V1必備條件高效率的化和無軸環的熱改善裝封手段。

廠品規格參數

分析：SiC HEMT上的高電機功率RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

最底頻繁 （MHz）：2110

上限幀率（MHz）：2200

P3dB輸出精度效率（W）：450

增益控制值（dB）：15

利用率（%）：60

共同點

具代表性的智能CW使用性能：10μs電脈沖間距，10%pwm占空比，2200 MHz，48 V，Doherty治具高效率=65%

增益控制值=14dB

P3dB=450W時的傳輸工作電壓

女模建模1B級（給出ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低導熱系數

無鉛并提供RoHS標

GaN基SiC HEMT枝術

上海市立維創展自動化有限制的工司管理權限經銷處CREE微波射頻電子器件，假如要有購CREE產品，請打開網頁右則客服專員練習人們！！！