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WS1A2639-V1-R3K是CREE的是一款非對稱軸多赫蒂電功率增加器控制器（PAM），將GaN on SiC高技術用和目前化的篩選和偏置電流電壓線上結合在符合中檔，散熱處理系統軟件的層層層壓材料的特性上。WS1A2639-V1-R3K概率範圍在2496 MHz至2690 MHz。以及用到最高的人50V的開關電源電流值；標準單位差輸出工作電壓標準單位為6至8 W，高值指數公式越來越低，自然數預失真是LTE和5G NR數劇數字信號，瞬時上行速率高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K被封殺裝在6mm X 6mm的焊層柵格陣列（LGA）封裝類型中。

物料年紀

結合：38.5dBmGaN on SiC工作(zuo)效(xiao)率拖(tuo)動器板(ban)塊；2496-2690MHz

低點頻繁 （MHz）：2496

極高工作(zuo)頻(pin)率（MHz）：2690

P3dB傳輸工(gong)率（W）：50

增益(yi)值(zhi)值(zhi)（dB）：16.5

效應（%）：57

固定的電壓（V）：48

封裝形式(shi)分類(lei)：表面(mian)上貼裝

封(feng)裝(zhuang)類型(xing)形式(shi)：封(feng)裝(zhuang)類型(xing)形式(shi)分(fen)立硫化鋅管

的技術利(li)用：SiC上的GaN

結構特征

GaN基SiC水平用途(tu)

從集成電路芯片二邊來源于導和(he)最(zui)好值子縮放(fang)器(qi)兼具柵(zha)極偏置端電壓電壓

融合化諧波銷售終端

無鉛并符(fu)合RoHS標

舉薦的帶動布置是(shi)WSGPA01

珠海市市立維創展科技有效(xiao)總(zong)部有效(xiao)總(zong)部授權(quan)證書(shu)供(gong)應商CREE微(wei)波加(jia)熱(re)配件，倘若需要購(gou)CREE廠品，請(qing)雙(shuang)擊左邊客戶服(fu)務中心鏈(lian)接讓我(wo)們(men)！！！