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WS1A2639-V1-R3K是CREE的市場上非呈對稱多赫蒂電功率拖動器方案（PAM），將GaN on SiC技術工藝應用領域和如今的化的適合和偏置工作電壓網格整合在配備中檔散熱性能系統的的小高層層壓基本材料上。WS1A2639-V1-R3K工作頻率依據在2496 MHz至2690 MHz。且施用最快50V的電源適配器直流電壓；平均值輸出的電率標準單位為6至8 W，較高值系數上升，羅馬數字預失真滴LTE和5G NR大數據數字信號，瞬時速率高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K封號裝在6mm X 6mm的焊層柵格陣列（LGA）芯片封裝中。

的產品樣式

舉例說明：38.5dBmGaN on SiC工率擴大器接口；2496-2690MHz

最底幾率（MHz）：2496

非常高頻段（MHz）：2690

P3dB所在公率（W）：50

增加收益值（dB）：16.5

能力（%）：57

額定容量電壓值（V）：48

封裝類屬：漆層貼裝

芯片二極管封裝：芯片二極管封裝分立硫化鋅管

技術工藝廣泛應用：SiC上的GaN

基本特征

GaN基SiC技能使用

從元器件兩邊應以導和最低值子變小器配備柵極偏置電阻值電源適配器

結合化諧波POS機

無鉛并提供RoHS標準規定

推送的驅動軟件裝置是WSGPA01

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