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CGHV60170D是氮化鎵（GaN）高智能電子滲透率晶胞管（HEMT）。與硅或砷化鎵相對較，GaN提供優秀的機械性能；含有較高的熱擊穿場強；過飽和電子廠傾斜轉速較高；下列關于較高的傳熱系數性。與Si和GaAs尖晶石管相對來說較，CGHV60170D提供了較高的工作效率密度單位和更寬的頻率段參數。

產品設備外形尺寸

介紹：170瓦；6.0 GHz；50VGaN HEMT處理(li)器

低些概率（MHz）：0

更高(gao)速度（MHz）：6000

增益值值（dB）：17

封(feng)裝形(xing)式(shi)品目：Die

特點

65%先進典型公率(lv)疊加利(li)用率(lv)

170 W非常典型(xing)PSAT

50V控制車

高擊穿電壓場強

的頻率區域高至6 GHz

成(cheng)(cheng)(cheng)都 市立維(wei)創展技(ji)術(shu)(shu)認(ren)證批發商MACOM成(cheng)(cheng)(cheng)品線，通常生產商MACOM的可變(bian)(bian)(bian)氣門正時增加收(shou)益變(bian)(bian)(bian)成(cheng)(cheng)(cheng)器(qi)(qi)(qi)，熱效率(lv)變(bian)(bian)(bian)成(cheng)(cheng)(cheng)器(qi)(qi)(qi)，低燥(zao)音變(bian)(bian)(bian)成(cheng)(cheng)(cheng)器(qi)(qi)(qi)，平滑變(bian)(bian)(bian)成(cheng)(cheng)(cheng)器(qi)(qi)(qi)，混(hun)合型喂(wei)養變(bian)(bian)(bian)成(cheng)(cheng)(cheng)器(qi)(qi)(qi)，FTTx放(fang)小器(qi)(qi)(qi)，劃(hua)分式放(fang)小器(qi)(qi)(qi)，放(fang)小器(qi)(qi)(qi)收(shou)獲接口，有(you)源區分器(qi)(qi)(qi)，功(gong)分器(qi)(qi)(qi)，倍頻(pin)器(qi)(qi)(qi)，混(hun)雜(za)式混(hun)頻(pin)器(qi)(qi)(qi)，混(hun)頻(pin)器(qi)(qi)(qi)，上直流變(bian)(bian)(bian)頻(pin)空調器(qi)(qi)(qi)，數據衰(shuai)(shuai)減器(qi)(qi)(qi)，數據移相器(qi)(qi)(qi)，熱效率(lv)開展器(qi)(qi)(qi)，壓(ya)控(kong)衰(shuai)(shuai)減器(qi)(qi)(qi)等很多半(ban)導體技(ji)術(shu)(shu)。如需選擇MACOM品牌，請打開左邊客戶網絡咨詢！！！