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GTRB246608FC-V1是CREE的(de)市場(chang)上500瓦（P4dB）的(de)SiC上GaN高(gao)電子(zi)挪動率尖晶石管（HEMT），強(qiang)院于(yu)多原則蜂窩狀電率增加(jia)器(qi)應用領域要求(qiu)設計(ji)制作。GTRB246608FC-V1兼(jian)具高(gao)錯誤(wu)率的(de)率和無(wu)軸環的(de)熱提升封裝類型。

物料年紀

結合：高工(gong)作電壓(ya)RF GaN SiC HEMT 500 W，48 V，2300-2400 MHz

最好速度（MHz）：2400

增加收益（dB）：15.7

封裝形式品類(lei)：Earless

表現形式

非常(chang)典型(xing)脈沖(chong)發生器CW穩定性，2400 MHz，48 V，10μs脈沖(chong)發生器的頻率，10%占空(kong)比，樂(le)隊組(zu)合打印輸出

P4dB=600 W時(shi)的導(dao)出輸(shu)出阻(zu)抗

P4dB=60%時(shi)的錯誤率

成都 市(shi)立維創展信息技術有限子公司(si)(si)英文子公司(si)(si)軟(ruan)件授權生產商CREE徽波元器件封裝，如果必須要(yao) 購CREE車輛(liang)，請點擊率右邊電話客服(fu)找話題讓(rang)我們(men)！！！