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GTRB246608FC-V1是CREE的這款500瓦（P4dB）的SiC上GaN高光電子轉化率多晶體管（HEMT），專注于于多原則蜂窩狀輸出功率拖動器APP實際需求設定。GTRB246608FC-V1具備高效性率和無軸環的熱強化封裝類型。

物品型號

陳述：高電率RF GaN SiC HEMT 500 W，48 V，2300-2400 MHz

很高速度（MHz）：2400

增益控制（dB）：15.7

芯片封裝類型：Earless

優點

經典脈沖發生器CW功效，2400 MHz，48 V，10μs脈沖激光幀率，10%占空比，組合成讀取

P4dB=600 W時的模擬輸出最大功率

P4dB=60%時的率

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