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?CMPA0060002D微波射頻擴大器CREE

上線時候：2024-12-02 17:14:36 挑選：679

CMPA0060002D不是種有帶氮化鎵（GaN）高智能電子移遷率單晶體管（HEMT）的單面徽波集成型電路板（MMIC）。與硅或砷化鎵比起來較，GaN具備有變得更加成績突出的功能，主要包括較高一些的的擊穿電壓場強、較高一些的的呈現飽和狀態智能漂移極限快與慢較高一些的的傳熱性標準值。與Si和GaAs多晶體管較之較，GaN HEMT還提供了越來越高的額定功率導熱系數和更寬的帶寬使用。CMPA0060002D選擇分布范圍式（導波）放小器構思思維，能夠在更小的占存規模內保證極寬的資源帶寬。