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CMPA0060002D都是種帶有氮化鎵（GaN）高電子廠遷徙率結晶體管（HEMT）的單面微波加熱一體化電路板（MMIC）。與硅或砷化鎵相對于較，GaN兼具更進一步優質的使用性能，含有高的熱擊穿場強、高的趨于穩定微電子漂移訪問快慢高的傳熱比率。與Si和GaAs尖晶石管相較較，GaN HEMT還作為更多的電功率密度計算公式和更寬的網絡帶寬。CMPA0060002D選用布局式（導波）拖動器制定一個構想，可在更小的占用量面積內進行極寬的上行速率。

特證

?17 dB小數據(ju)信號(hao)增益值(zhi)(zhi)值(zhi)(zhi)

?2 W典型案例PSAT

?額定功率電壓值高達模型(xing)28V

?高電壓擊穿場強

?高溫環境度施用

?長(chang)寬(kuan)0.169 x 0.066 x 0.004厘米

技術應用

?超高帶變大器

?金屬線控制器

?試驗專用設備

?EMC變大(da)器驅(qu)程器

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