頒布的時間:2024-12-17 11:36:58 打開網頁:713
ADRF5132是款高電率、反射強度性、0.7 GHz至5.0 GHz、硅、單極、雙擲(SPDT)光反射按鈕開關,選用無絕緣線界面貼裝封裝結構。該調換機獨特最適合高熱效率和蜂窩狀核心設施管理建筑軟件,如長時演變(LTE)通信基站系統。ADRF5132遵循35 dBm LTE的高電率加工利用率(在105°C下的對數正態分布主要值),2.7 GHz下0.6 dB的低添加消耗,65 dBm的錄入三階截距(經典值)和42.5 dBm的0.1 dB減少(P0.1dB)。
ADRF5132板上供電控制電路在5V的過于單一正電源線電流和1.1mA的明顯24v電源瞬時電流下運動,使ADRF5132變成 應用場景pin場效應管的按鈕的良好化代用品。
ADRF5132選則提供RoHS條件的密集型16管腳3 mm×3 mmLFCSP封口手段。
顯著特點
反射強度性,50?裝修設計
低添加損失:2.7 GHz時一般為0.6 dB
TCASE=105°C時的高馬力來解決
長時光(>10年開機運行)
最好最大功率:43 dBm
CW熱效率:38 dBm
LTE最高值工作效率(8 dB標準單位桿數):35 dBm
單慘案(<10秒進行)
LTE谷值工作功率(8 dB標準單位桿數):41 dBm
高平滑度
P0.1dB:42.5 dBm典例值
IP3:2.0 GHz至4.0 GHz時的主要數值為65 dBm
ESD額定值
HBM:2 kV,2級
CDM:1.25 kV
單正電源開關:5V
朝操作,兼容CMOS/TTL
16管腳,3mm×3mm LFCSP打包封裝結構類型
適用
蜂窩狀/4G基礎框架配套設施發展
移動網前提公共設施施工
軍隊和高可信度性應運
測試試驗設備器
Pin場效應管編輯
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