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ADRF5132是款(kuan)高馬(ma)力(li)、條件可逆(ni)性、0.7 GHz至5.0 GHz、硅(gui)、單極(ji)、雙擲（SPDT）折射旋鈕(niu)，運行(xing)無電線(xian)接(jie)觸面貼裝二極(ji)管(guan)封裝結(jie)構。該變(bian)換機有點適(shi)于高功(gong)效和(he)蜂窩狀根(gen)基公共設施建筑應該用，如長日期衍變(bian)（LTE）移動(dong)基站裝備。ADRF5132享有35 dBm LTE的高高效率(lv)處理高效率(lv)（在105°C下的平均典(dian)型(xing)性值），2.7 GHz下0.6 dB的低(di)嵌入(ru)耗率(lv)，65 dBm的輸進三階截距(ju)（典(dian)型(xing)案例值）和(he)42.5 dBm的0.1 dB降(jiang)低(di)（P0.1dB）。

ADRF5132板上供電(dian)電(dian)線在5V的(de)(de)單調正主機(ji)電(dian)源額(e)定電(dian)壓和(he)1.1mA的(de)(de)典例電(dian)源適配器電(dian)流量下運(yun)營(ying)，使ADRF5132變成 研究背(bei)景(jing)pin二級(ji)管(guan)的(de)(de)按鈕開關的(de)(de)抱負化用(yong)于(yu)品。

ADRF5132使用提供RoHS規定(ding)的家用suv轎車型16管腳(jiao)3 mm×3 mmLFCSP打包封裝主要形式。

表現

反(fan)射強度(du)性，50?結構設計

低讀取(qu)耗損(sun)率：2.7 GHz時舉(ju)例為0.6 dB

TCASE=105°C時的高瓦數完成

長耗時（>10年操作）

比較大電率：43 dBm

CW工作電壓(ya)：38 dBm

LTE谷值額定功率（8 dB標(biao)淮桿數）：35 dBm

單惡性事件（<10秒操控）

LTE最高值公率（8 dB標淮桿數）：41 dBm

高直線度

P0.1dB:42.5 dBm經典(dian)值

IP3:2.0 GHz至4.0 GHz時的先(xian)進典(dian)型(xing)值(zhi)一般選擇65 dBm

ESD額定功率值

HBM:2 kV，2級

CDM：1.25 kV

單正供電：5V

雙向掌控，兼(jian)容CMOS/TTL

16管腳，3mm×3mm LFCSP二(er)極管封裝表現形式

用途

蜂窩狀/4G根本(ben)服務設(she)施的建設(she)

無(wu)線wifi網絡上基礎上配套設(she)施發展

攻(gong)沙和(he)高靠(kao)得住性應該(gai)用

公測器材

Pin二級管更換

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