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?再者代650 V裸片SiC MOSFET

發布信息事件:2025-01-03 16:57:39     瀏覽記錄:630

行行業超過硬導通阻值和按鈕衰減,并能達到適宜特點和功效強度指標。

Wolfspeed可根據三是代650 V SiC MOSFET加大了其無定形碳硅(SiC)技巧上的制約道德水準。在更周全的電氣網操作系統中滿足了身材比例更小、凈重更輕、更強效的電氣網轉化率。650 V SiC MOSFET是穩定性優越工農業電、服務保障器/電信網手機網絡供電、新能源電動式車技術電動式車(EV)能充電試驗裝置、儲熱機、應激供電(UPS)和蓄電池管理制度機系統等作用的較佳選用。

癥狀

較低溫度壞境的低導通電阻器

低內寄生電解電容

具有超低返向回到的有效肖特基二極管

持續性高的溫度操作(Tj=175°C)

MOSFET.png

優勢可言

借助調準旋鈕和接入損耗量提高了裝置學習效率

實現目標高觸點開關頻繁 控制車

加強設計級熱效率密度單位參數表

變低平衡裝置標準;體重;和水冷卻追求

先進典型操作

工藝開關電源

服務管理器/電信網網

新能源汽車開發快速電動充電樁設施

全釩液流電池儀器(ESS)

應急指揮電(UPS)

微型蓄電池監管設備(BMS)

CREE科銳于2017年提取出微波通信頻射加盟品牌Wolfspeed,以寬帶網、大工率增加器品牌為特點。

成都市市立維創展自動化是CREE的銷售商,都有CREE微波通信配件優劣勢訂貨方法,借款人信用衡量原裝進口合格產品。

*部份型號規格需報考美利堅出入口允許。詳情介紹了解一下更大型號規格,歡迎詞質詢立維創展!


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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