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?3.代650 V裸片SiC MOSFET

推(tui)送期(qi)限:2025-01-03 16:57:39     看:630

行行業內超創一流導通電率電阻和按鈕開關消耗的資金,能變現最加耐熱性和電率孔隙率指標。

Wolfspeed選擇(ze)3.代650 V SiC MOSFET提升了其無定形碳硅(SiC)操(cao)作(zuo)(zuo)系統上(shang)的核(he)心(xin)戰(zhan)略(lve)地位。在更切(qie)實的供用(yong)電操(cao)作(zuo)(zuo)系統中滿意休型(xing)更小、重(zhong)量體積更輕、最高(gao)效的供用(yong)電轉變成。650 V SiC MOSFET是性(xing)能指標匠(jiang)心(xin)工(gong)業化電源線、服務管理器/中國(guo)聯(lian)通(tong)手機網絡電源模塊、新資源電動式車(EV)充電樁配置、儲蓄(xu)能量設配、應(ying)對電源線(UPS)和(he)容量電池處理設備等性(xing)能的最宜選澤。

基本特征

低(di)(di)溫制冷(leng)的效果環鏡的低(di)(di)導通電(dian)阻(zu)值

低寄托在(zai)電容(rong)(電容(rong)器)

必備(bei)條件(jian)太低單向(xiang)回到的高效益穩壓管

長期高溫環(huan)境(jing)遠程控制(Tj=175°C)

MOSFET.png

優劣勢

憑借(jie)修正啟閉和視頻傳(chuan)輸耗損提高自己主設備生(sheng)產率

實行(xing)高按鈕(niu)開關的頻(pin)率超控

升高設備(bei)級耗(hao)油率體積(ji)規格

拉低裝置技術參數;克(ke)重;和空氣冷(leng)卻規范

典型的用途

工業品電源模塊

服務(wu)項目器/電信(xin)寬帶(dai)互聯網

新(xin)生物(wu)質(zhi)能源專(zhuan)研(yan)樁(zhuang)系統設(she)計

儲能技術環保設(she)備(ESS)

應(ying)對(dui)電源模塊(UPS)

充電管理設備設備(BMS)

CREE科(ke)銳于2017年(nian)剝離出微波(bo)通信微波(bo)射(she)頻的品(pin)牌Wolfspeed,以(yi)寬帶網、大公率增(zeng)加器廠品(pin)為蘇州特色。

蘇州(zhou)市(shi)立維創展新材料技術是CREE的銷售(shou)商,擁用CREE紅外光(guang)元器件封(feng)裝優勢與劣勢供貨周(zhou)期銷售(shou)渠道,個(ge)人征(zheng)信保(bao)護原版原單。

*方面材質需申請表(biao)芬蘭出(chu)口產品批準。詳情頁了(le)解到大量(liang)應用,追(zhui)捧咨(zi)詢公司立維創展(zhan)!


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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