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ADRF5160是(shi)Analog Devices Inc.（ADI）開售的(de)有款高能硅(gui)基0.7 GHz至4.0 GHz單刀(dao)雙擲（SPDT）反(fan)射性按鈕，進(jin)行無引腳、單單從表面貼(tie)裝的(de)打包封裝風格。ADRF5160專為高工作(zuo)效率(lv)操作(zuo)和蜂窩(wo)基礎知識安全設施，如(ru)長(chang)期(qi)性發展史（LTE）信號塔(ta)等設定。ADRF5160掌握(wo)優異的(de)高效率(lv)治理(li)實力，其長(chang)久(jiu)的(de)（>10年）總(zong)值典型性值在8 dB峰均比LTE狀態下電(dian)動車續航(hang)41 dBm，另外在2.0 GHz左右的(de)其最典型的(de)插進(jin)損(sun)耗量僅為0.7 dB。不(bu)僅如(ru)此，ADRF5160的(de)發送三(san)階截點（IP3）具代表性臨(lin)界值70 dBm，0.1 dB擠壓點（P0.1dB）典型案(an)例數值為47 dBm。

ADRF5160的(de)片上(shang)控(kong)制(zhi)電路在5 V單正電原直(zhi)流電壓(ya)下啟(qi)用(yong)，典例電原功率僅為1.1 mA，是PIN二級管(guan)按(an)鈕開(kai)關(guan)的(de)良好換用(yong)實施方案。ADRF5160的(de)二極管(guan)封裝(zhuang)貼合RoHS細則，用(yong)到寬敞(chang)的(de)32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP開(kai)發。

性概括：

反(fan)射性式制(zhi)定，50 Ω阻抗識別(bie)識別(bie)

低加入自然損(sun)耗：在(zai)2.0 GHz下類，非常典型數值為0.7 dB

高公率清理技能，在(zai)TCASE = 105°C必備條件下表面比較好

長久（>10年）均勻工作電壓行為 ：

不間斷(duan)波輸出(chu)：43 dBm

谷值電機功率：49 dBm

LTE均值電機功率（8 dB峰均比）：41 dBm

一次時間（<10秒）平均值LTE工作功(gong)率（8 dB峰均比(bi)）：44 dBm

高(gao)線性(xing)網絡度行(xing)為 ：

P0.1dB明顯值(zhi)：47 dBm

IP3主要表現值：70 dBm

靜(jing)電反(fan)應充放電（ESD）養護品(pin)級高：

人體組織實體模(mo)型(xing)（HBM）：4 kV，3A級

導電連(lian)接系統(tong)模式化（CDM）：1.25 kV

單正24v電源工作電壓：5 V

正(zheng)控(kong)制無線(xian)信號，兼容(rong)CMOS/TTL電平(ping)

緊(jin)促的(de)32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP裝封

適用領(ling)域：

無限核心(xin)設施的設備(bei)(bei)的設備(bei)(bei)

軍隊及高牢靠性應用(yong)不一樣

公測(ce)測(ce)定的(de)設備

算作PIN二級管轉換開(kai)關的方式計(ji)劃方案(an)

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