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描述
AMCOM的AM012WN-Bi-R就是一個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極參數為1.25mm。它是在瓷質BI裝封，進行高達到10千兆赫。BI系列表運行特種設計方案的瓷質裝封，極具內彎（Bi-G）或直（BI）引線的裝有辦法。裝封底的卡箍時作直流電跨接、rf射頻跨接和熱路。這篇分是符合國家RoHS規定的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM012WN-BI-R	1周	50

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特征
高達10 GHz的高頻操作
增益＝17dB，p5dB＝37 dBm，PAE＝51%，漏＝55% @ 2.8 GHz。
表面貼裝
有用熱管散熱的最下面

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機