Lk線高壓低壓砷化鎵場滯后效應單晶體管AM010MH4-BI-R
發布公(gong)告期(qi)限:2018-11-05 15:33:48 打開(kai)網頁:1760
描述
AMCOM的AM010MH4-Bi-R是雙全系列作品GaAs HIFET的有一部電影分。HiFET是高壓變壓器、高效率、高規則化和寬帶網軟件的要素輸入專利技術機器配置單。該耗油率元件的總耗油率元件外邊為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高效率微波頻射軟件而設汁的,運轉工作頻率超過3GHz。BI全系列作品分為一款異常設汁的陶瓷圖片裝封,還具有彎度或水平線的引線和凸緣裝有方案。裝封底端的法蘭部此外當作交流電的與地面、頻射的與地面和熱路。此HiFET是貼合RoHS標準單位的。
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品牌
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型號
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貨期
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庫存
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AMCOM
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AM010MH4-BI-R
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1周
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50
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特征
25V漏極偏壓
寬帶部分匹配:直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益:g= 19dB@ 2.0GHz
高功率:P1dB=31 dBm @ 2.0GHz
高線性度:IP3=46dBm @ 2.0GHz
應用于有效性cpu散熱的陶瓷圖片封口
應用
寬帶應用
高電壓20~28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信