亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区

描述
AMCOM的AM010MH4-Bi-R是雙系例作品GaAs HIFET的大地方。HiFET是交流電高壓、高工率、高線形和聯通寬帶采取的大地方相匹配發明權設配分配。該器材的總器材外場為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高工率微波微波射頻采取而裝修設計的的，辦公頻率高達到3GHz。BI系例作品采取這種特出裝修設計的的陶瓷圖片封口，包括屈曲或美的引線和凸緣裝設方式方法。封口下方的蝶閥法蘭同樣最為交流電接地系統極、微波射頻接地系統極和熱路。這些HiFET是符合國家RoHS原則的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM010MH4-BI-R	1周	50

如若您需要購買AM010MH4-BI-R，請點擊右側客服聯系我們！！！

特征
25V漏極偏壓
寬帶部分匹配：直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益：g= 19dB@ 2.0GHz
高功率：P1dB＝31 dBm @ 2.0GHz
高線性度：IP3＝46dBm @ 2.0GHz
用來更好水冷散熱的瓷質裝封

應用
寬帶應用
高電壓20～28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信