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描述
AMCOM的AM030MH4-BI-R是雙一系例GaAs HIFET的一這那部分分。HIFET是這那部分適配的專利技術設配裝的高電流，高最大耗油率，高線性網絡度和帶寬操作。該電子元件的總電子元件周圍為12mm。AM030MH4-Bi-R是為高最大耗油率徽波操作而規劃的，工作中速度高至3GHz。BI一系例通過一個特定規劃的淘瓷二極管芯片封裝，有著變形或平行線的引線和凸緣裝方式英文。二極管芯片封裝底端的蝶閥法蘭時對于整流等電位連接、頻射等電位連接和熱路。這點HiFET是具備RoHS原則的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	511AM030MH4-BI-R RLB	1周	50

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特征
28伏
寬帶部分匹配：直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益：g= 19dB@ 2GHz
高功率：P1dB＝35dBm @ 2.0GHz
高線性度：IP3＝50 dBm @ 2.0GHz
用以有郊熱量散發的瓷磚封裝形式

應用
寬帶應用
高電壓20～28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信