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X3C09P1-03S低剖面,高機械性能的3dB混耦合電路器

發部周期:2020-04-16 10:48:45     訪問 :1703

X3C09P1-03S是一個低剖面,高性能的3dB混合耦合器在一個新的易于使用,制造友好的表面安裝包。它是為LTE和WIMAX頻段應用而設計的。X3C21P1-03S是專為平衡功率和低噪聲放大器、信號分配和其他需要低插入損耗和緊密振幅和相位平衡的應用而設計的。它可用于高達110瓦的大功率應用。零件經過嚴格的鑒定測試,并使用熱膨脹系數(CTE)與常見基板(如FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺)兼容的材料制造。采用6/6符合RoHS標準的浸錫處理。

X3C09P1-03S低剖面,高性能的3dB混合耦合器

X3C09P1-03S代表性:

?1800-1000兆赫

?LTE、WIMAX

?高效率

?愈來愈低的耗用

?密切協作波幅動平衡

?高屏蔽度

?工作團結型

?磁帶和卷盤

?無鉛

X3C09P1-03S至關重要運作

速度(GHZ):0.8 - 1.0

效率(W):110

回波耗用(dB):24.9

導入自然損耗(dB):0.14

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