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CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子變遷率多晶體管(HEMT)。享有前所已失的填寫，會在DC-2.0GHz區間當中展示 盡量的的瞬時寬帶網性能方面。與硅或砷化鎵比較較，CGHV40180極具相對高品質的功能；是指極高的擊穿電壓場強；極高的趨于穩定電子設備漂移加效率與極高的傳熱性標準值。與Si和GaAs多晶體管差距較，CGHV40180還給出挺高的公率體積密度和更寬的下行帶寬。CGHV40180采用2接地線彩石/瓷質法蘭盤盤和藥丸式封裝形式，能夠變現最容易機械和熱增強性。

優點

填寫不兼容

180W(CW)最低的(de)輸出

250W非常(chang)典型(xing)工率

24dB其最典型(xing)的小(xiao)數字信號增加收益值(zhi)

28V和50V動用

應用科技領域

雷達遙測遙測

醫療衛生健康保健

寬帶網絡擴大器

短信安全防護VHF-UHF

國(guo)防教育俄羅(luo)斯軍(jun)事移動(dong)通訊(xun)主(zhu)設(she)備(bei)

產品的規格尺寸

介紹：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子設備知識率氯化鈉(na)晶體(ti)(ti)管

最底(di)平率(MHz)：0

極限頻次(MHz)：2000

更高(gao)值(zhi)輸(shu)送電機(ji)功率(W)：200

增益值(zhi)值(zhi)(聲貝(bei))：24.0

成功率（％）：70

電機額定(ding)功(gong)率電壓電流(V)：27

結構(gou)類型：打包(bao)封裝分立(li)氯化鈉晶體(ti)管

封裝類(lei)型：蝶閥法(fa)蘭盤、丸狀

技巧(qiao)選用：GaN-on-SiC