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CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高光電轉入率晶胞管(HEMT)。具有前所未現的投入，都可以在DC-2.0GHz面積以上保證最好的的的瞬時光纖寬帶機械性能。與硅或砷化鎵相信較，CGHV40180極具更出色的能；比如挺高的穿透場強；挺高的趨于穩定自動化漂移流速與挺高的傳熱彈性系數。與Si和GaAs氯化鈉晶體管好于較，CGHV40180還出示更強的輸出密度計算和更寬的帶寬使用。CGHV40180運用2高壓導線材料/瓷質法蘭片盤和藥丸式封口，并能滿足建議機電和熱穩固性。

特證

輸人不兼容

180W(CW)最低的輸出

250W明顯電機功率

24dB先進典型小電磁波增益值值

28V和50V用

選用各個領域

汽車雷達監測

醫學健康保健

移動寬帶圖像放大電路

資料安全可靠VHF-UHF

防御軍事體育通訊機器機器

護膚品標準

描述英文：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子廠移遷率晶狀體管

最小率(MHz)：0

更高速率(MHz)：2000

高值的輸出電機功率(W)：200

收獲值(音貝)：24.0

效果（％）：70

額定負載交流電壓(V)：27

業務類型：裝封分立晶狀體管

裝封門類：法蘭部盤、丸狀

新技術軟件應用：GaN-on-SiC