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弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT極具高模擬效果功效強度和帶寬寬下的有效應率。但有GaN HEMT的曲線度一般 比GaAs元器的曲線度差。選文談到半個種簡易的辦法來有效改善GaN HEMT的曲線度。所談到的辦法是將元器拆成與獨有保持的柵極偏置端電壓并接的若干子標段測試，而后對仗標段測試模擬效果實行功效搭檔。

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