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弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT具備有高模擬輸出電壓工作端電壓體積和寬帶網寬下的有的效率。不過GaN HEMT的平滑度常見比GaAs元件的平滑度差。這篇文入憲了一大種簡單易行的的方式來糾正GaN HEMT的平滑度。所入憲的的方式是將元件劃分成與自由操控的柵極偏置端電壓串連的好幾個子單元尺寸測試卷，并且對聯單元尺寸測試卷模擬輸出電壓使用工作端電壓搭配組合。

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