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描述
AMCOM的AM025WN-Bi-R就是一個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極參數為2.5mm。它在瓷質二極管封口類型中操作電動車續航8 GHz。BI系統在使用特別的定制的瓷質二極管封口類型，更具微彎（Bi-G）或直（BI）引線的按照方案。二極管封口類型底邊的法蘭片并且算作直流電的跨接、微波射頻的跨接和熱路。這本分是符合要求RoHS規定的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM025WN-BI-R	1周	50

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特征
高達8 GHz的高頻操作
增益＝16 dB，p5dB＝40 dBm，PAE＝52%，漏極＝56% @ 3 GHz。
表面貼裝
有效果散熱管的底

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機