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HMC6147ALC5A/HMC6147ALC5ATR小型MMIC I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:33:00 HMC6147ALC5A不是款緊促型GaAs MMIC I/Q下伺服電機器，選取無引腳RoHS兼容型SMT封裝。 該器材帶來了13 dB小數字信號裝換增加收益，具有著25 dBc邊帶抑止。 HMC6147ALC5A選取低噪音風機源縮放器來安裝驅動包I/Q混頻器，LO由X2倍頻器安裝驅動包。

HMC6789BLC5A/HMC6789BLC5ATR陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝 ADI現貨

2018-07-03 10:27:08 HMC6789BLC5A是款緊身型GaAs MMIC I/Q下直流伺服，主要運用包含RoHS細則的12引腳、工業陶瓷無鉛處理器媒體(LCC)裝封。該元器提供了14 dB的小信號燈轉換成增益值和25 dBc的映射調控功效。HMC6789BLC5A主要運用低噪音擴大器推動程序I/Q混頻器，這之中LO由x2乘法器推動程序

HMC1065LP4E/HMC1065LP4ETR鏡像抑制低噪聲變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:19:31 HMC1065LP4E一款緊湊型GaAs MMIC鏡像軟件文件控制低燥聲交流軟啟動，選擇滿足RoHS標準單位的無鉛SMT封裝形式。 該器材出具13 dB的小的信號改換收獲，17 dBc的鏡像軟件文件控制和-2 dBm手機輸入IP3。 HMC1065LP4E合理利用RF LNA和由有源X2倍頻器驅動軟件的I/Q混頻器工作的。

HMC1113LP5E/HMC1113LP5ETR表貼封裝緊湊型下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:16:58 HMC1113LP5E不是款主體工程型GaAs MMIC I/Q下變頻式器，選取無鉛5 x 5 mm低地應力壓鑄泡沫塑料表貼二極管封裝。 該器材提供數據12 dB的小信號燈轉變收獲、1.8 dB的噪音分貝彈性系數和25 dBc的系統iso鏡像緩和效能。 HMC1113LP5E選取LNA，后接由LO降低器放縮器帶動的系統iso鏡像緩和混頻器。

HMC951BLP4E/HMC951BLP4ETR小型 I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-02 15:16:32 HMC951B也是款緊奏型型GaAs MMIC I/Q下直流變頻電機，選擇完全符合RoHS標淮的無引腳SMT芯片封裝。 該器材在整塊頻段時間范圍內保證13 dB的小數字信號轉型增益值、2 dB的噪音比率和24 dB的iso鏡像文件抑止功能。 HMC951B選擇LNA，后接由LO減慢器放小器帶動的iso鏡像文件抑止混頻器。

HMC8108LC5/HMC8108LC5TR緊湊型X頻段單芯片低噪聲轉換器 ADI現貨

2018-07-02 15:06:38 HMC8108不是款狹窄型、X頻段、砷化鎵(GaAs)單存儲電子器件紅外光集合電源電路(MMIC)同相正交(I/Q)低的噪音變換器，選擇具備RoHS原則的瓷器無鉛存儲電子器件質粒二極管封裝。HMC8108將依據為9 GHz至10 GHz的微波射頻(RF)輸入4g無線信號變換為輸送上方60 MHz先進典型單端中頻(IF)4g無線信號。

HMC1056LP4BE/HMC1056LP4BETR無鉛SMT封裝混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:53:27 HMC1056LP4BE一款緊促型I/Q MMIC混頻器，主要包括“無鉛”SMT穩壓管封裝，該用作鏡像軟件控制混頻器或一側攜帶交流變頻。 該混頻器主要包括兩大準則Hittite雙平衡量混頻器單元尺寸和另一個70度相溶電子器件，均主要包括GaAs Schottky穩壓管工序營造。

HMC1063LP3E/HMC1063LP3ETR緊湊型I/Q MMIC混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:41:15 HMC1063LP3E都是款省油的suv型I/Q MMIC混頻器，通過“無鉛”SMT打包封裝，可作作鏡象減緩混頻器或單向攜帶三菱變頻器器。 該混頻器通過兩根條件Hittite雙和平混頻器單元式和一位70度攪拌集成電路芯片，均通過GaAs Schottky電感工藝設計研制。

Qorvo推出QPM2637/QPM1002用于雷達應用的超緊湊X波段FEM Qorvo現貨代理商

2018-07-02 14:30:32 Qorvo新的FEMs - QPM2637和QPM1002 - 形成在Qorvo的氮化鎵技術應用設備的基礎以上，該技術應用設備可保證 較高的學習效率，可靠的性，馬力和可求生存性，并可節約使用長度，總重量和制造費。每同一個FEM將重點的T / R模塊圖片用途集成化到同一個寬敞的封口中：T / R轉換開關，馬力拖動器和低嗓聲拖動器（LNA）。

HMC520ALC4/HMC520ALC4TR單芯片同相正交(I/Q)混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:55:30 HMC520A一款砷化鎵(GaAs)單處理IC芯片微波通信模塊化電路原理(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器，通過按照RoHS規范的24引腳、瓷器無鉛處理IC芯片媒體(LCC)裝封。該元器快速可用作鏡像軟件可以抑制混頻器或一側帶進去變頻器。

HMC8191LC4/HMC8191LC4TR無源混頻器芯片 ADI現貨代理商

2018-07-02 11:48:52 HMC8191是一個款無源網絡帶寬使用I/Q單ibms塊微波微波射頻ibms線路(MMIC)混頻器，可作讀取器映射促使混頻器或發射衛星器一側帶入定頻器。HMC8191具備著6 GHz至26.5 GHz的微波射頻(RF)和本振(LO)依據及及DC至5 GHz的中頻(IF)帶寬使用，比較適是需要寬工作頻率依據

HMC524ALC3B/HMC524ALC3BTR緊湊型GaAs MMIC I/Q混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:41:18 HMC524ALC3B都是款主體工程型GaAs MMIC I/Q混頻器，按照了不符合RoHS標的無引腳SMT淘瓷封裝類型。 該功率元器件要用作iso鏡像抑制作用混頻器或單側喊上變頻柜器。 該混頻器按照了兩只標雙靜態平衡混頻器單無和個九十度混合法功率元器件，均按照了GaAs MESFET工藝設備開發。

HMC498LC4/HMC498LC4TR高動態范圍功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 13:47:59 HMC498LC4一款高動態的范疇之內GaAs PHEMT MMIC中級電率變成器，適用無引腳“無鉛”SMT封裝類型。 該變成器具備17至24 GHz的崗位范疇之內，打造22 dB收獲、+26 dBm飽和點電率和23% PAE（+5V線電壓線電壓）。

HMC383LC4/HMC383LC4TR通用MMIC驅動放大器 ADI現貨代理商

2018-06-29 13:42:06 HMC383LC4也是款適用GaAs PHEMT MMIC驅程拖動器，用到達到RoHS標準化的無引腳SMT封裝類型。 該拖動器用到+5V單電，增益值控制為15 dB，過飽和瓦數為+18 dBm。 在整運作頻段內有一致性的增益值控制和輸出瓦數

HMC633LC4/HMC633LC4TR驅動放大器頻率5.5至17 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:41:51 HMC633LC4一款GaAs PHEMT MMIC驅動器放小器，選取無鉛4x4 mm表貼瓷磚打包封裝，作業頻帶寬度範圍為5.5至17 GHz。 該放小器可以提供高達模型30 dB的收獲、+30 dBm輸出精度的IP3及+23 dBm的輸出精度的馬力

HMC634LC4/HMC634LC4TR驅動放大器陶瓷表貼封裝 ADI現貨

2018-06-29 11:34:17 HMC634LC4不是款GaAs PHEMT MMIC動力擴大器，選取無鉛4x4 mm陶瓷廠家表貼封裝類型，工作上速度使用范圍為5至20 GHz。 該擴大器具備高達模型21 dB的增益值值、+29 dBm所在IP3及+22 dBm的所在輸出（1 dB增益值值縮減時），額定功率為180 mA（+5V電）。

HMC498/HMC498-SX功率放大器頻率范圍為17至24 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:21:07 HMC498就是一款高靜態範圍GaAs PHEMT MMIC事情工作效率變大器，事情規律範圍為17至24 GHz。 HMC498出示24 dB增益控制，過飽和事情工作效率為+27 dBm，電源開關線電壓為+5V (25% PAE)。 鑒于厚度較小，HMC498變大器可不累一體化到多存儲芯片模塊電源(MCM)中。

HMC-APH596/HMC-APH596-SX兩級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 11:18:34 HMC-APH596是一種款二級GaAs HEMT MMIC一般內容輸出工率變大器，本職工作率范圍之內為16至33 GHz。 HMC-APH596給予17 dB增益值，分為+5V電源適配器直流電壓時擁有+24 dBm內容輸出內容輸出工率（1 dB減少）。

RFGA2012低功耗線性放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 17:16:12 Qorvo的RFGA2012專門的構思在以最大的交流電工率建立高OIP3。超平滑耐熱性已在150MHz至3GHz的基準頻段中獲取證明書。RFGA2012兼具VBIAS引腳，不可以用戶數對於某個追求優化調整靜態變量交流電。VBIAS引腳也可以選擇作掉電引腳。

RFGA0024高性能InGaP HBT MMIC放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 17:03:26 Qorvo的RFGA0024就是一款高使用性能InGaP HBT MMIC拖動器。RFGA0024的內部的組織有源偏置主機電源線路不能拖動器就直接從5V主機電源作業，并展示 不穩定性的感應電流隨溫濕度變遷沒收違法所得理Beta變遷。游戲達林頓拖動器的內部的組織相配熱敏電阻為50歐姆，很好必須 小厚度和很少外鏈器件的運用。

RFGA0014低成本寬帶增益MMIC放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 16:46:56 Qorvo的RFGA0014是一種款高功能InGaP HBT MMIC調大器。RFGA0014的實物有源偏置線路不能調大器同時從5V電原運作，并提高增強的直流電隨氣溫發展處以理Beta發展。此款達林頓調大器的實物配比阻值為50歐姆，如此合適還要小尺寸和少則其他元器件封裝的軟件。

RF5633驅動器級線性功率放大器IC 5 V線性功率放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:39:52 Qorvo的RF5633是專為最終能夠或驅使器級APP來設計方案的波形電率放縮器IC。該集成電路單片機芯片所采用中帶背部接地保護的無引線單片機芯片膜蛋白。RF5633來設計方案適用于在比較廣泛的濕度和電率模擬的輸出范圍圖內實現波形。外部結構搭配為兩個頻段的模擬的輸出電率具備可調節為性。

RF5623中等線性功率放大器IC Qorvo現貨

2018-06-28 16:29:31 Qorvo的RF5623是專為一般工作電壓技術應用設置的規則化工作電壓放縮器IC。該元件選取專業的InGaP異質結雙極結晶體管（HBT）施工工藝產生，設置用到802.16e放出器的不可能微波射頻放縮器。

RF3827高線性度的RF放大器IC 線性通用放大器Qorvo現貨

2018-06-28 16:21:13 Qorvo的RF3827是款統一，低利潤，高線形度的RF變小器IC。該元器件采取了砷化鎵技藝營造，采取了3mm x 3mm，16引腳QFN封裝類型。它至關時候重復使用線形/低嗓聲變小器，中僅OIP3值為38dBm，嗓聲比率需小于1.5dB。

RF3315高效率放大器 200 - 2200 MHz寬帶高線性度放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 16:06:31 Qorvo的RF3315是款質量高率砷化鎵異質結雙極氯化鈉晶體管（HBT）圖像增加電路，選擇節省成本價外層貼裝封口。該圖像增加電路是非常適用性于要有200MHz至3GHz幀率時間范圍內的高直線度和低燥音彈性系數的應用軟件。

RF3223表面貼裝封裝500 - 2000 MHz低噪聲，高線性驅動放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:03:29 Qorvo的RF3223一款采取成本分析價表明貼裝打包封裝的有效率GaAs異質結雙極多晶體管（HBT）放縮器。該放縮器十分的符合于必須 500MHz至3GHz率空間內的高規則化度和低嘈音數值的應運。RF3223采取單5V24v電源共電，采取經濟社會的3mm x 3mm QFN打包封裝。

RF3220高效率砷化鎵異質結雙極晶體管（HBT）驅動放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 15:38:32 Qorvo的RF3220都是款科學規范率砷化鎵異質結雙極結晶管（HBT）放縮器，用成本分析投入表面上貼裝二極管裝封。該放縮器越來越可用做于要求500MHz至3GHz頻繁標準內的高平滑度和低環境噪聲彈性系數的應該用。RF3220用單5V開關電源配電，用成本的3mm x 3mm QFN二極管裝封。

RF2162高功率高效率線性放大器IC Qorvo 3 V線性放大器現貨代理商

2018-06-28 15:23:18 Qorvo的RF2162是真對3V手握式軟件系統的的高工作率高效化率線形圖像增加器電路IC。該元器利用為先進的砷化鎵異質結雙極晶胞管（HBT）技藝加工，制作當做雙玩法3V CDMA / AMPS手握式數字6蜂窩機械擴頻軟件系統的和同一應用領域中的然后RF圖像增加器電路。 800MHz至960MHz頻段。

QPM1000集成式限幅器/ LNA高性能低噪聲放大器 Qorvo現貨出售

2018-06-28 15:20:09 Qorvo QPM1000都是款一體化系統式限幅器/ LNA，可在2-20GHz頻率依據內保證添富藍籌，高質量參數。QPM1000在增加收益有效控制下保證17 dB的小移動信號增加收益，在整頻率依據內擁有1.7 - 4 dB的噪音常數，> 18 dBm P1dB。另外，一體化系統限幅器保證獨角獸高達4 W的入射電率的添富藍籌性水平面，而不是減輕功效參數。

美國AMCOM 微波設計制造公司 AMCOM代理商

2018-06-28 14:57:18 AMCOM成立大公司于1999年14月，由一類在紅外光通信電線開發和紅外光通信集成電路芯片研發技能各方面經驗雄厚的紅外光通信開發師組成部分。它坐落于美式馬里蘭州市蓋瑟斯堡，距華盛頓東北約20英里。該大公司算作優勢的紅外光通信開發組織安排安排具有盛譽，該組織安排安排包涵電率FET，MMIC電率變小器、帶RF和DC聯系器的高電率變小器模快，這樣模快已籌備好用呢于紅外光通信體統。