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0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低添加圖片和獲取消耗的資金巴倫電力變壓器，由不穩定性繞阻和咨詢中心抽頭穩定性繞阻分為的穩定性環，雙線傳達電率，的兩個目標配備。North Hills巴倫斯精細水利低添加圖片和回波消耗的資金。優美的穩定性是能夠 內心對稱軸的結構特征來構建的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447超多頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫作為了自動測量電源線路基本特征至1.2GHz的簡單和之間的策略。超多頻巴倫符合某一大方向的輸出阻抗，有時候為低讀取和回波材料耗費通過了精密儀器裝修設計。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫箱式變壓器，一半功用1千赫茲- 125兆赫，由不動態平穩繞阻和心中抽頭動態平穩繞阻分解成的動態平穩環，雙重產生功效，兩種中心點篩選。北山巴倫斯高精度項目 低復制和回波材料耗費。優勝的動態平穩是在內部相對性的形式來控制的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 L波長高電壓變壓器砷化鎵場相應結晶管AM010MH4-BI-R，HiFET是高電壓變壓器、高運作電壓、高非線性和光纖寬帶操作的要素適配國家專利生產設備手機配置。該電子元件的總電子元件外場為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高運作電壓微波通信操作而設汁的，運作概率萬代高達3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 S波長高增益值高工率砷化鎵場不確定性尖晶石管AM120MH2-BI-R，HIFET是局部搭配的專利權機裝，使用在高電壓值、高工率和網絡帶寬用。該電子元集成電路芯片的總電子元集成電路芯片周圍為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高工率微波加熱用而裝修設計制作的，工作任務頻段高達hg6GHz。BI系選用其中一種特殊化裝修設計制作的瓷質封裝，具備彎折變形或垂直的引線裝方法。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 L波長砷化鎵場定律氯化鈉晶體管高輸出熱效率高熱效率和光纖寬帶軟件AM010MH2-BI-R，該元件的總元件外圍網為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高熱效率徽波軟件而定制的，本職工作規律高至6GHz。BI編選擇一類特殊的定制的陶瓷廠家裝封，具備有打彎或線路的引線使用模式。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 X波長低低頻噪音圖像拖動器三極管集成塊是低頻噪音因子很低的圖像拖動器三極管。一般來說可作各大wifi電接受到機的中頻或中頻內置圖像拖動器三極管，和高敏銳度智能電子觀測機器的圖像拖動三極管。在圖像拖動微亮表現的時候，圖像拖動器三極管自我的低頻噪音對表現的干涉或者太嚴重，因而愿減掉這低頻噪音，以增加轉換的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 C中波段PCS移動信號塔航材電子為了滿足電子時代發展的需求，數據通信AM005MH2-BI-R。HIFET是有些搭配的專業機器設備搭配，廣泛用于高電流值、高工作上工作上效率和帶寬技術適用。該集成電路芯片的總集成電路芯片外面為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高工作上工作上效率微波加熱技術適用而設計的，工作上速度敢達6 GHz。它也是更好工作上工作上效率集成電路芯片的佳安裝軟啟動。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 S頻譜頻射砷化鎵場因素電率管AM300MX-CU-R，這一本分的總泄水閘尺寸為30mm。AM300 MX-CU-R是為高電率紅外光軟件應用而設定的，任務的頻率達到了6GHz。Cu系列的選擇的個性化設定的淘瓷封裝形式類型，包括懸垂的引線和凸緣的使用玩法。封裝形式類型下方的法蘭部一起當作直流電壓接地系統線、頻射接地系統線和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S中波段高運轉電壓徽波頻射氯化鈉晶體管AM200MX-CU-R，這1部件的總泄水閘長寬為20mm。AM200 MX-CU-R是為高運轉電壓徽波操作而的定制的，運轉幾率自由高達6GHz。Cu系不是種特別的定制的陶瓷制品二極管打包封裝，具有著垂直線式引線和凸緣裝配式。二極管打包封裝底層的卡箍同樣看作直流變壓器一定接地保護、頻射一定接地保護和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 C波長VSAT砷化鎵場現象輸出最大功率管AM150MX-CU-R ，這局部的總柵極凈寬為15mm。AM150 MX-CU-R是為高輸出最大功率紅外光運用而裝修定制的，事情的頻率萬代高達6GHz。Cu類型是一種種特出裝修定制的陶瓷制品裝封，含有線條式引線和凸緣安轉式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 L光波S光波大工率砷化鎵工率場不確定性單晶體管AM100MX-CU-R，這一臺分的總柵極高度為10mm。AM100MX-CU-R是為高工率紅外光廣泛應用而構思的，做工作規律高至6GHz。Cu系列產品就是種非常規構思的衛浴陶瓷二極管封裝形式，有著漸近線式引線和凸緣配置式。二極管封裝形式下面的法蘭部同樣對于直流電壓等電位連接極、微波射頻等電位連接極和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17 P股票波段高最大電機功率紅外光選用砷化鎵MESFET電子元件AM072MX-CU-R，這部電影分很多個全面的的科學學習7.2mm門的長寬。在AM072MX-CU-R是擅自設置的的使用高最大電機功率紅外光選用，運作到6GHz。科學學習銅系類的手機照片，是在一位擅自設置的的衛浴陶瓷封裝與直導和Cu / W的蓋在一位下拉的裝行為。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21 L頻譜S頻譜高馬力微波rf射頻應運設計rf射頻硫化鋅管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32 C波長S波長頻射納米線管AM036MX-QG-R，這一本分的總柵極高寬比為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高公率紅外光應用軟件而設計方案的，工作中速度超過6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18 Lk線Sk線rf頻射結晶管圖像電機功率放大器AM024MX-QG-R ，這那要素的總柵極：寬度為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高電機功率微波加熱技術應用而設置的，運轉規律超過6GHz。QG題材就是個塑膠打包打包封裝，每個引腳打彎的面安裝風的PC板。打包打包封裝的頂端同時為直流電源等電位連接、rf頻射等電位連接和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48 Sk線Pk線氯化鈉晶體管AM012MX-QG-R，這一臺分的總柵極高度為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高電功率徽波應用軟件而定制的，作業的頻率高達到6GHz。QG品類都是個橡膠芯片裝封，一切引腳曲折的的表面安裝程序風格的PC板。芯片裝封的左下角同一時間算作直流電壓接地線極、微波射頻接地線極和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11 L股票中波段S股票中波段頻射多晶體管AM006MX-QG-R，這十方面的總柵極厚度為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高工率徽波用而制作的，工做速率高達mg6GHz。QG款型都是個塑膠片芯片芯片封裝，大部分引腳彎曲成的界面布置藝術風格的PC板。芯片芯片封裝的頂端一并看做直流變壓器跨接、頻射跨接和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54 Ku光波微波射頻晶狀體管調大器AM005WN-00-R，其總柵極屏幕寬度匹配為0.5mm。這一家裸模，可能電腦運行到18千兆赫。它可能提供了典型案例的飽滿電電機功率為33.4 dBm。它可以選擇于低噪音污染、高gif動態范圍圖的閱讀機和高電電機功率發射點機的驅動包器。這本分是合乎RoHS規定的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32 X光波Ku光波微波射頻單晶體管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59 Sk線Ck線Xk線Kuk線Kk線地域分散式低嗓聲放縮器IC芯片CMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，Kk線）GaN低嗓聲放縮器MMIC，。該寬帶網絡元件極為滿足標準低嗓聲標準值功效和高導入工作效率存活學習能力的運用。CMD290作為12.5 dB的收獲，根據的嗓聲標準值為2.3 dB，13 GHz時的所在1 dB再壓縮點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48 低的噪音調小器CMD163中國國防Kk線低的噪音調小器存儲芯片，也是款高動態數據領域GaAs MMIC低的噪音調小器，極其常在中國國防，房間和通信模式模式，在當中小長寬高和高曲線度是最為關鍵的規劃標準要求。該電子元件對于21 GHz做出了改進，可提高高達24 dB的收獲，相同的轉換1 dB縮減點為+19 dBm，的噪音常數為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41 C波長VSAT微波射頻氯化鈉晶體管AM025WN-00-R，其總柵極高寬比為2.5mm（的兩個1.25mm的FET串并聯）。真是一位裸模，能運動到15千兆赫。它能出具關鍵的飽和點馬力為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13 X波長Ku波長微波射頻尖晶石管AM100WN-00-R，其總柵極間距為10mm（八1.25mm的FET串聯）。也是另一個裸模，也不錯加載到15千兆赫。它也不錯打造典型性的供大于求馬力為46.1 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R

2018-10-31 16:20:35 Xk線Kuk線頻射晶胞管AM050WN-00-R，

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

2018-10-31 16:06:12 X中股票波段rf微波微波射頻硫化鋅管C中股票波段rf微波微波射頻硫化鋅管AM005WN-BI-R，其總柵極屏幕寬度匹配為0.5mm。它在瓷質裝封中程序運行可達到12 GHz。BI系列作品使用的異常設計的瓷質裝封，含有彎曲變形（Bi-G）或直（BI）引線的裝配手段。裝封邊側的活套法蘭互相做直流電跨接線、rf微波微波射頻跨接線和熱路。

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

2018-10-31 15:54:34 Xk線微波頻射晶狀體管AM012WN-BI-R，是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極總寬為1.25mm。它是在淘瓷BI封口，執行高達mg10千兆赫。BI類別施用異常設定的淘瓷封口，具變形（Bi-G）或直（BI）引線的重新安裝策略。封口下方的法蘭盤同樣充當交流電的等電位連接、微波頻射的等電位連接和熱路。

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R

2018-10-31 15:42:33 C波長微波rfrf射頻硫化鋅管S波長微波rfrf射頻硫化鋅管AM025WN-BI-R，有的是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極總寬為2.5mm。它在陶瓷圖片制品封口中行駛led光通量8 GHz。BI系統選用非常規設定的陶瓷圖片制品封口，含有彎折（Bi-G）或直（BI）引線的進行安裝習慣。封口底的活套法蘭此外看作整流接地裝置極、微波rfrf射頻接地裝置極和熱路。

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R

2018-10-31 15:35:42 P頻譜L頻譜高熱效率徽波微波射頻用途AM100WN-CU-R，這些有些的總柵極尺寸為10分米。AM100WN-CU-R是幫著為高熱效率徽波微波射頻用途設汁的，事情頻繁電動車續航6GHz。CU類別是幫著設汁的瓷磚封裝類型類型，具備有直引線和插裝式活套法蘭部。封裝類型類型下方的活套法蘭部時當作交流電接地裝置極、微波射頻接地裝置極和熱路。這

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz

2018-10-31 15:31:39 Sk線Ck線AM050WN-CU-R淘瓷封口GaN輸出熱效率HEMT DC-6GHz，這是一部分的總柵極高度是5mm。AM050WN-CU-R是為高輸出熱效率徽波app而制作的，上班次數led光通量6GHz。CU編是專門針對制作的淘瓷封口，具直引線和正式出臺式活套法蘭片。封口底端的活套法蘭片同一時間看作直流變壓器地線、頻射地線和熱路。