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0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低加入和跳轉耗費巴倫配電變壓器，由不發展點繞阻和管理中心抽頭發展點繞阻分解成的發展點環，雙邊分享最大功率，兩位方法相匹配。North Hills巴倫斯精密鑄造市政工程低加入和回波耗費。好的發展點是利用內化對應的成分來體現的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447超長頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫出示了預估電路原理的特點至1.2GHz的比較簡單和馬上的工藝。超長頻巴倫適應指定位置的特性阻抗，但會為低添加和回波耗損率確定了五金機械設定。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫電抗器，通常貸款用途1千赫茲- 125兆赫，由不均衡性電機定子和公司抽頭均衡性電機定子組合而成的均衡性環，橫向傳遞信息瓦數，這兩個方面配對。北山巴倫斯精密儀器項目 低復制和回波消耗的資金。好的均衡性是能夠自有對稱軸的結構特征來保證的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 L光波各類高電壓砷化鎵場作用多晶體管AM010MH4-BI-R，HiFET是各類高電壓、高瓦數、高線型和帶寬運用的要素一致知識產權機械運行環境。該電子器材的總電子器材周圍為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高瓦數微波射頻運用而裝修設計的，工做速率達到3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 S光波高增益控制高熱效率砷化鎵場滯后效應硫化鋅管AM120MH2-BI-R，HIFET是部件搭配的申請裝置增加，代替高電流電壓、高熱效率和寬帶網所采用。該元元件的總元元件外面為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高熱效率紅外光所采用而構思的，操作頻段到達6GHz。BI系例所采用是一種非常規構思的瓷磚二極管封裝，具備著彎折或虛線的引線裝配策略。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 L股票波段砷化鎵場作用單晶體管高電阻高功效和聯通寬帶用到AM010MH2-BI-R，該器材的總器材外邊為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高功效微波射頻用到而來來設計的，本職工作頻繁 多達6GHz。BI類別用到一個特出來來設計的工業陶瓷封裝形式，有著內彎或漸漸的引線裝置策略。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 Xk線低噪音污染擴大器集成ic是噪音污染因子很低的擴大器。似的作為各無線數字電發送機的中頻或中頻3.5mm擴大器，及及高靈敏性度電商測探機械的擴大電路系統。在擴大細小數字警報的時候，擴大器身體的噪音污染對數字警報的電磁波輻射有可能管得嚴重，所以說祝愿擴大這噪音污染，以上升轉換的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 C股票波段PCS移動通信技術基站南航微電子通信技術AM005MH2-BI-R。HIFET是部位一致的專利證書專用設備選配，用以高作業電壓、高熱效率和聯通寬帶使用。該電子元電子元件的總電子元電子元件內圍為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高熱效率微波射頻使用而制定的，作業頻繁多達6 GHz。它也是不大熱效率電子元電子元件的理想化驅動包器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 S波長rfrf射頻砷化鎵場相應電率管AM300MX-CU-R，這三環節的總閘門啟閉機高度為30mm。AM300 MX-CU-R是為高電率紅外光軟件應用而結構設定的，工作的的頻率達6GHz。Cu型號適用的一種異常結構設定的瓷質芯片裝封，兼有挺直的引線和凸緣的裝設習慣。芯片裝封低部的卡箍時當作整流保護接地保護、rfrf射頻保護接地保護和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S光波高熱效率徽波rf頻射氯化鈉晶體管AM200MX-CU-R，這幾地方的總閥門大小為20mm。AM200 MX-CU-R是為高熱效率徽波應用軟件而制作的，工作任務工作頻率超過6GHz。Cu一系列就是一種特別的制作的陶瓷制品封口形式，具有著垂直式引線和凸緣的安裝式。封口形式底下的活套法蘭同時最為直流電一定接地保護、rf頻射一定接地保護和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 C股票波段VSAT砷化鎵場定律馬力管AM150MX-CU-R ，這都是部份的總柵極厚度為15mm。AM150 MX-CU-R是為高馬力微波通信廣泛應用而設置的，做工作工作頻率到達6GHz。Cu題材都是種特定設置的工業陶瓷封裝，都具有漸漸式引線和凸緣按照式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 Lk線Sk線大額定事情電壓砷化鎵額定事情電壓場現象晶胞管AM100MX-CU-R，這一臺分的總柵極凈寬為10mm。AM100MX-CU-R是為高額定事情電壓微波頻射運用而設定的，事情的頻率可高達6GHz。Cu系列的是種特俗設定的淘瓷封裝類型，享有線路式引線和凸緣連接式。封裝類型尾部的蝶閥法蘭此外作為一個直流電壓保護接地裝置、頻射保護接地裝置和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17 P中波段高電率微波通信射頻用砷化鎵MESFET器材AM072MX-CU-R，這部電影分有個周全的實驗7.2mm門的長寬比。在AM072MX-CU-R是自主設定的用做高電率微波通信射頻用，運作到6GHz。實驗銅品類的圖片，是在另其中有一個自主設定的陶瓷圖片包裝設計與直導和Cu / W的蓋在另其中有一個下拉的的安裝模式。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21 Lk線Sk線高耗油率紅外光適用方案頻射硫化鋅管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32 C光波S光波微波加熱射頻單晶體管AM036MX-QG-R，這幾局部的總柵極橫向為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高耗油率微波加熱應用軟件而設置的，本職工作平率高達獨角獸6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18 L頻譜S頻譜rf微波射頻尖晶石管增加器AM024MX-QG-R ，這三方面的總柵極間距為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高輸出功率徽波廣泛應用而結構設計的，運作速度將高達6GHz。QG產品都是個泡沫塑料封裝形式，整個引腳彎曲變形的外表安裝程序風格特點的PC板。封裝形式的左下角一同作整流接地極保護、rf微波射頻接地極保護和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48 S中頻譜P中頻譜氯化鈉晶體管AM012MX-QG-R，這一大部分分的總柵極寬為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高馬力微波加熱APP而規劃的，工作中規律可高達6GHz。QG系統都是個塑料材質打包二極管封裝，幾乎所有引腳打彎的的表面連接格調的PC板。打包二極管封裝的頂端一并成為交流電地線、微波射頻地線和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11 L股票股票波段S股票股票波段徽波頻射結晶管AM006MX-QG-R，這有的是那部分的總柵極尺寸為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高最大功率徽波運用而裝修設計的，工做頻段高達hg6GHz。QG編有的是個塑封口形式，其他引腳彎折的外表面安轉風格特征的PC板。封口形式的下面同樣成為直流變壓器跨接、徽波頻射跨接和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54 Ku波長rf射頻單晶體管圖像運放電路AM005WN-00-R，其總柵極總寬為0.5mm。這便是一款裸模，能夠 作業到18千兆赫。它能夠 給出舉例的飽和公率為33.4 dBm。它能用的 于低噪音源、高的動態規范的收機和高公率發機的驅動軟件器。這個分是符合國家RoHS規范的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32 X光波Ku光波頻射硫化鋅管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59 S光波C光波X光波Ku光波K光波規劃式低背景低頻噪音擴大器集成icCMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，K光波）GaN低背景低頻噪音擴大器MMIC，。該網絡帶寬配件尤其最適合的要求低背景低頻噪音比率性能指標和高投入瓦數孤島生存業務能力的技術應用。CMD290展示 12.5 dB的增益值，一定的背景低頻噪音比率為2.3 dB，13 GHz時的輸入1 dB進行壓縮點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48 低燥音拖動器CMD163軍事戰爭戰爭K波長低燥音拖動器處理器，就是款高情況時間范圍GaAs MMIC低燥音拖動器，如此適于于軍事戰爭戰爭，空間區域和通信設備體統，表中小尺寸規格和高平滑度是首要裝修設計標準要求。該元器件封裝對於21 GHz確定了改善，可帶來少于24 dB的收獲，以及的模擬輸出1 dB進行壓縮點為+19 dBm，燥音因子為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41 C光波VSATrf射頻結晶體管AM025WN-00-R，其總柵極橫向為2.5mm（這兩個1.25mm的FET串連）。這就是1個裸模，應該運營到15千兆赫。它應該展示 常見的過剩額定功率為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13 X中頻譜Ku中頻譜rf射頻單晶體管AM100WN-00-R，其總柵極厚度為10mm（五個1.25mm的FET串連）。也是個裸模，不錯使用到15千兆赫。它不錯具備明顯的過剩公率為46.1 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R

2018-10-31 16:20:35 X股票光波Ku股票光波rf射頻多晶體管AM050WN-00-R，

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

2018-10-31 16:06:12 X頻譜微波頻射單多晶體管C頻譜微波頻射單多晶體管AM005WN-BI-R，其總柵極厚度為0.5mm。它在淘瓷廠家裝封中正常運作達到12 GHz。BI類別用到特別的來設計的淘瓷廠家裝封，具有著打彎（Bi-G）或直（BI）引線的進行安裝玩法。裝封側面的法蘭部與此同時身為直流電源保護接地系統、微波頻射保護接地系統和熱路。

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

2018-10-31 15:54:34 Xk線微波微波射頻結晶體管AM012WN-BI-R，都是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極橫向為1.25mm。它是在瓷質BI芯片芯片封裝類型，運動獨角獸高達10千兆赫。BI系列的運用特定設計的的瓷質芯片芯片封裝類型，含有彎度（Bi-G）或直（BI）引線的的安裝方法。芯片芯片封裝類型底邊的法蘭部與此同時作為一個整流等電位連接保護、微波微波射頻等電位連接保護和熱路。

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R

2018-10-31 15:42:33 C股票光波rf頻射多納米線管S股票光波rf頻射多納米線管AM025WN-BI-R，不是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極屏幕寬度匹配為2.5mm。它在淘瓷封口中進行會達8 GHz。BI系列表的使用異常裝修設計的淘瓷封口，還具有打彎（Bi-G）或直（BI）引線的裝有方式。封口底邊的活套法蘭一同看作直流電地線、rf頻射地線和熱路。

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R

2018-10-31 15:35:42 P光波L光波高瓦數微波通信通信軟件AM100WN-CU-R，這款一些的總柵極厚度為10mm毫米。AM100WN-CU-R是特意為高瓦數微波通信通信軟件制作方案的，工做次數達到6GHz。CU系類是特意制作方案的陶瓷圖片裝封，包括直引線和插裝式活套法蘭片。裝封側面的活套法蘭片一起有所作為直流電壓的地線、微波射頻的地線和熱路。這

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz

2018-10-31 15:31:39 S中波長C中波長AM050WN-CU-R瓷磚封口GaN輸出HEMT DC-6GHz，這樣的部分的總柵極厚度是5mm。AM050WN-CU-R是為高輸出微波通信運用而設計制作構思的，業務幀率高達6GHz。CU系列作品是特地設計制作構思的瓷磚封口，有著直引線和趴地式法蘭部部。封口頂端的法蘭部部也算作整流跨接、頻射跨接和熱路。